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60 V、N 沟道沟槽式 MOSFET
NXP 的 60 V、N 沟道沟槽式 MOSFET （60 V, N-Channel Trench MOSFET）具有超过 2 kV HBM 的静电放电保护 (ESD) 能力
发布时间：2018-06-14
NXP 的 BSN20BKR 是一款采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
60 V、N 沟道沟槽式 MOSFET特性
兼容逻辑电平
静电放电 ESD 保护能力为 2 KV HBM
非常快的开关速度
沟槽式 MOSFET 技术
60 V、N 沟道沟槽式 MOSFET应用
高速线路驱动器
低压侧负载开关
继电器驱动器
开关电路
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