Toshiba 推出用于高能效功率 MOSFET 的下一代超级结 (SJ) 深沟槽半导体技术。与以前的 DTMOS IV MOSFET 相比，基于新的 DTMOS V 工艺的器件具有更低的 EMI 噪声，并降低了导通电阻 (RDS(ON))。
与以前的 DTMOS IV 半导体技术一样，DTMOS V 技术基于单一外延工艺，涉及“深沟槽蚀刻”，后跟 P 型外延生长。与更传统的平面过程相比，深沟槽填充过程导致单元间距变窄和 RDS(ON) 降低。与使用多外延生长工艺的传统超级结 MOSFET 相比，Toshiba 的深沟槽工艺可以提高 RDS(ON) 的热系数。
与 TK12P60W DTMOS IV MOSFET 技术提供的最低 RDS(ON) 相比，Toshiba 能够使用 DTMOS V 技术将 DPAK TK290P60Y 的 RDS(ON) 降低 17%。该公司还进一步优化了开关性能与 EMI 噪声之间的平衡。
DTMOS V MOSFET 简化了设计并提高了功率转换应用的性能，包括开关电源、功率因数校正（PFC）设计、LED 照明和其他 AC/DC 应用。第一款基于第五代工艺的 MOSFET 提供 600 V 和 650 V 额定值，并采用 DPAK (TO-252) 和 TO-220SIS（智能隔离）封装。最大导通电阻额定值范围仅为 0.29 Ω 到 0.56 Ω。