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    SDT 系列沟槽式肖特基二极管

    SDT 系列沟槽式肖特基二极管

    Diodes SDT 系列沟槽式肖特基二极管(SDT Series Trench Schottky Diodes)具有出色的性价比

    发布时间:2018-06-14

    Diodes SDT 系列采用深度沟槽式工艺制造,与采用平面工艺制造的肖特基二极管相比能实现更低的正向电压和反向漏电电流。对 SDT20B100CT 而言,这两者之间的差异可以高达 20% 以上,因而具备显著的性价比。这些肖特基二极管均采用高热效和全绿色环保的 PowerDI® 5、TO220AB 和 ITO220AB 封装。这些器件均适用于全自动或劳动密集型制造环境。

    SDT 系列沟槽式肖特基二极管特性

    • 出色的传热特性

         PowerDI5、 TO220AB 和 ITO220AB 封装具有高效传热特性并符合 RoHS 规范,因而能够可靠地工作在要求苛刻的应用中,且非常适用于大规模制造厂

    • 低正向电压

         这些器件基于沟槽式技术开发,比平面型肖特基二极管提供更低的正向电压 (VF)。更低的正向电压就能以相同或更好的器件成本提供更佳的能效

    • 低反向漏电电流

         这些器件的漏电电流 (IR) 低至 3.5 µA。这一出色的性能意味着终端系统具有更小的外形尺寸

    • 高正向浪涌电流

         正向浪涌电流 (IFSM) 高达 280 A,反向击穿电压 (VRRM) 高达 120 V,可确保实现器件的高可靠性和最终系统的鲁棒性

    SDT 系列沟槽式肖特基二极管应用

    1. AC/DC 适配器和充电器

    2. 家庭电子设备

    3. 物联网 (IoT) 设备

    4. 移动计算和通信

    SDT Series Trench Schottky Diodes
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