Nexperia的双晶体管在2 mm x 2 mm，DFN（分立扁平无引脚）封装中具有低饱和电压。15种新型号采用无引脚，薄型DFN2020-6（SOT1118）封装，集电极电压（V CEO）为30 V，60 V和120 V.

低至60 mV的超低饱和电压可实现高效率和更长的电池寿命。集电极电流（IC）最高可达2安培，器件可处理高达3安培的峰值电流。DFN封装只有0.6 mm高，具有出色的热功率（Ptot = 1 W），可以取代许多更大的晶体管封装，如SO8或SOT457。这些是空间受限应用的最佳解决方案。根据AEC-Q101，双晶体管符合汽车标准。Nexperia的低V CE（sat）晶体管产品系列现在包括36个无引线和标准SMD封装的双晶体管，以及高达500 V和高达7 A的250多种单晶振荡器。