CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET

Texas Instruments 推出适合空间受限型应用的 CSD22206W -8 V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET（CSD22206W NexFET™ Power MOSFET）

发布时间：2018-06-14

Texas Instruments 的 -8 V、4.7 mΩ、1.5 mm x 1.5 mm 器件旨在在最可能小的外形中实现最低的导通电阻和栅极电荷，以超扁平外形实现了出色的热性能。低导通电阻结合小封装和扁平外形，使得该器件成为采用电池供电的空间受限型应用的理想选择。

CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET特性

CSD22206W NexFET Power MOSFET
图片	数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
		CSD22206WT	MOSFETs-晶体管	CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET	￥6.40161	在线订购
		CSD22206W	MOSFETs-晶体管	CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET	￥9.18707	在线订购