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CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET
Texas Instruments 推出适合空间受限型应用的 CSD22206W -8 V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET（CSD22206W NexFET™ Power MOSFET）
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 -8 V、4.7 mΩ、1.5 mm x 1.5 mm 器件旨在在最可能小的外形中实现最低的导通电阻和栅极电荷，以超扁平外形实现了出色的热性能。低导通电阻结合小封装和扁平外形，使得该器件成为采用电池供电的空间受限型应用的理想选择。
CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET特性
超低电阻
小封装：1.5 mm x 1.5 mm
无铅
栅极 ESD 保护
符合 RoHS 规范
无卤素
栅源电压箝位
CSD22206W NexFET™ 功率 MOSFET应用
负载开关
电池管理
电池保护
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CSD22206WT | MOSFETs-晶体管 | CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | ￥5.44837 | 在线订购 |
 | | CSD22206W | MOSFETs-晶体管 | CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | ￥10.07018 | 在线订购 |
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