Diodes Incorporated 推出了两款具有超低通道输入电容 (CI/O) 的 TVS 器件：D3V3X4U10LP 和 D3V3F4U10LP。这些器件采用先进的低功耗工艺节点制造，旨在为敏感型混合信号 SoC（片上系统）提供数据线路保护，而且兼容如 USB、HDMI®、DisplayPort™ 等接口标准。具有 6.2 V（典型值）反向击穿电压（VBR）、IEC61000-4-5 标准规定的高达 5A 的峰值脉冲电流（I PP），以及 IEC61000-42 标准规定的高达 ±12 kV 的空气和接触放电型 ESD 冲击（VESD）耐受能力，这些器件满足或超过了保护如 USB Type-C™ 等高速接口免受可能的 ESD 危害的所有要求。在 0.45 pF 至 0.5 pF（典型值）之间的超低通道输入电容（CI/O）有助于实现良好的信号完整性，确保在高速接口上进行可靠的数据传输。这些器件采用薄型和全“绿色” DFN2501-10 封装，非常适合全自动化的制造环境。这些器件的 Z 向高度小于 0.58 mm（典型值），可以方便地运用到空间是第一考虑要素的系统中，如电脑、外设、智能手机、4K/8K 显示器、音/视频设备、AR/VR 等设备。