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具有超低通道输入电容的 TVS 二极管
Diodes 的 D3V3X4U10LP 和 D3V3F4U10LP （TVS Diodes with Ultra-Low Channel Input Capacitance）适用于高速数据线路的 ESD 保护
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 推出了两款具有超低通道输入电容 (CI/O) 的 TVS 器件：D3V3X4U10LP 和 D3V3F4U10LP。这些器件采用先进的低功耗工艺节点制造，旨在为敏感型混合信号 SoC（片上系统）提供数据线路保护，而且兼容如 USB、HDMI®、DisplayPort™ 等接口标准。具有 6.2 V（典型值）反向击穿电压（VBR）、IEC61000-4-5 标准规定的高达 5A 的峰值脉冲电流（I PP），以及 IEC61000-42 标准规定的高达 ±12 kV 的空气和接触放电型 ESD 冲击（VESD）耐受能力，这些器件满足或超过了保护如 USB Type-C™ 等高速接口免受可能的 ESD 危害的所有要求。在 0.45 pF 至 0.5 pF（典型值）之间的超低通道输入电容（CI/O）有助于实现良好的信号完整性，确保在高速接口上进行可靠的数据传输。这些器件采用薄型和全“绿色” DFN2501-10 封装，非常适合全自动化的制造环境。这些器件的 Z 向高度小于 0.58 mm（典型值），可以方便地运用到空间是第一考虑要素的系统中，如电脑、外设、智能手机、4K/8K 显示器、音/视频设备、AR/VR 等设备。
具有超低通道输入电容的 TVS 二极管特性
低反向工作和钳位电压
在 IPP = 5 A 的情况下，反向工作电压（VRWM）最高为 3.3 V、反向钳位电压 (VC) 为 3.5 V（典型值），这些器件能确保受保护的混合信号 SoC 处于安全极限范围内。
符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-5 标准
4 通道 I/O 端口，具有 IEC61000-4-2 (ESD) 规定的高达 ±12 kV 空气和接触以及 IEC61000-4-5（闪电）规定的 5 A (8/20 µs) 峰值脉冲电流（I PP）保护能力
超低通道输入电容
凭借低至 0.45 pF 的输入电容，任何一对高速差动传输线上的插损都降至最小
外形扁平的 DFN2510 封装
小尺寸 (2.5 mm x 1.0 mm) 结合超低 Z 向高度 (0.58 mm)，使这些设备可用于非常狭窄的环境
具有超低通道输入电容的 TVS 二极管应用
智能电话
4K/8K 显示器
AR/VR 设备
计算机和外设
音频/视频设备
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | D3V3X4U10LP-7 | ESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件 | 3V（标准） 夹子 3A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 U-DFN2510-10 | ￥0.58049 | 在线订购 |
 | | D3V3F4U10LP-7 | ESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件 | 在线订购 |
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