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    UMOS9 DPAK MOSFET

    UMOS9 DPAK MOSFET

    Toshiba 出品基于下一代 U-MOS IX-H 沟槽工艺的 MOSFET(UMOS9 DPAK MOSFETs),能在所有负载条件下实现高能效

    发布时间:2018-06-14

    Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品,为公司的现有产品线新增 40 V 和 60 V 器件。所有这些器件均提供 DPAK 封装选择。这种封装可实现低导通电阻、低 QOSS,进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。
    这些新型 N 沟道 MOSFET 包括 40 V 和 60 V 器件,基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 沟槽式半导体工艺。这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON)) ,以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率,最终在各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
    MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间,包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。这些技术也非常适合用于电机控制,以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。

    UMOS9 DPAK MOSFET特性

    • 低漏源导通电阻

    • 低输出充电(漏源电容充电)

    • DPAK 封装 (6.54 mm x 10.14 mm x 2.3 mm)

    UMOS9 DPAK MOSFET应用

    1. 服务器和基站电源

    2. 高能效 DC-DC 转换器

    3. 开关稳压器

    UMOS9 DPAK MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    TK3R1P04PL,RQMOSFETs-晶体管TK3R1P04PL,RQ¥9.20006在线订购
    TK4R4P06PL,RQMOSFETs-晶体管表面贴装型 N 通道 60 V 58A(Tc) 87W(Tc) DPAK¥5.52340在线订购
    TK6R7P06PL,RQMOSFETs-晶体管MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK¥3.13253在线订购

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