Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI) 宣布已启动了其汽车级串行 (SPI) 和并行 SLC NAND 闪存的抽样生产装置。ISSI 的 SLC NAND 闪存产品支持 -40°C 至 +105°C 宽工作温度范围，因此非常适合用于下一代汽车、工业和物联网 (IoT) 应用。SPI NAND 和并行 NAND 闪存均通过了 AEC-Q100 标准鉴定，从而满足严格的汽车级鉴定要求。目前，SPI NAND 的存储容量为 1 Gb，而并行 SLC NAND 则提供 1 Gb、2 Gb 和 4 Gb 存储容量选择。ISSI 正致力于其它容量的 NAND 闪存，串行/并行 NAND/NOR 闪存及其 DRAM 产品线的多芯片封装 (MCP) 选择。
除了 SPI NAND 和并行 NAND 闪存，ISSI 还提供包括 SDR、DDR2、DDR3 和移动 SDR、LPDDR、LPDDR2 在内的多种 DRAM、容量为 64 Kb 至 72 Mb 的全系列异步和同步 SRAM 以及大量的 256 Kb 至 512 Mb 的 NOR 闪存组合。