TDK 的 TAS 系列角度传感器通过利用隧道磁阻（TMR）元件实现了高输出、高精度和高稳定性。这种 TMR 元件使用 TDK 的的薄膜技术开发而成，而这项技术则是通过生产 HDD 磁头积累而来的。TMR 元件由三层组成：引脚层、阻挡层和自由层。阻挡层由薄的绝缘体制成，夹在引脚层和自由层之间，后两者均由铁磁材料制成。引脚层的磁化方向固定，自由层的磁化方向根据外部磁场方向变化而变化。当自由层和引脚层的磁化方向平行时，元件的电阻变小，导致大的电流流入阻挡层。当自由层和引脚层反向平行时，电阻变大，实际上没有电流流入阻挡层。

当磁体在 TMR 传感器上旋转时，自由层的磁化方向遵循该磁体的磁场方向，并且元件的电阻连续变化。该电阻值与引脚层和自由层的磁化方向之间的相对夹角成正比，意味着该元件可以用作角度传感器进行 360° 角度检测。

TDK 的 TAS 系列 TMR 角度传感器的输出要比 AMR 传感器高 20 倍，比 GMR 传感器高 6 倍。TAS 系列还具有低功耗、低老化变质速度特性，且在宽温度范围内能够保持稳定的角度精度（在 -40°C 至 +150°C 的温度范围和 20 mT 至 80 mT 的磁场范围内，角度误差为 ±0.6° 或更小），因此非常适合用于汽车和工业应用。
更多信息：TAS 技术说明