Texas Instruments LM5145 75 V 同步降压控制器设计用于调节高输入电压源或受到高电压瞬变影响的输入轨，从而最大限度地减少对外部浪涌抑制元件的需求。高压侧开关最小导通时间为 40 ns，有助于降低降压比，实现从 48 V 标称输入到低压轨的直接降压转换，从而降低系统复杂性和解决方案成本。如果需要，LM5145 可在输入电压骤降至 6 V 期间以接近 100% 占空比持续工作，非常适合高性能工业控制、机器人、数据通信和射频功率放大器应用。

强制 PWM (FPWM) 操作消除了频率变化从而实现最小化 EMI，而用户可选择的二极管仿真功能降低了轻负载条件下的电流消耗。逐周期过流保护通过测量低压侧 MOSFET 上的电压降或使用可选的电流检测电阻来实现。高达 1 MHz 的可调开关频率能与外部时钟源同步，以消除噪声敏感应用中的拍频。

LM5145 电压模式控制器以适用于标准阈值 MOSFET 的可靠 7.5 V 栅极驱动器驱动外部高压侧和低压侧 N 沟道功率开关。具有 2.3 A 灌入和 3.5 A 拉出能力的自适应定时栅极驱动器可在开关转换期间最大限度地减少体二极管导通，从而降低开关损耗，并提高在高输入电压和高频率下驱动 MOSFET 时的散热性能。LM5145 可以通过开关稳压器的输出或另一个可用的电源供电，从而进一步提高效率。

相对于 SYNCOUT 内部振荡器的 180° 异相时钟输出是级联或多通道电源的理想选择，可降低输入电容纹波电流和 EMI 滤波器尺寸。LM5145 的附加功能包括一个可配置的软启动，用于故障报告和输出监控的开漏功率良好监视器，单调启动到预偏置负载，集成 V CC 偏置电源调节器和阴极负载二极管，外部电源跟踪，用于可调节线路欠压锁定 (UVLO)、具有滞后的精密启用输入，打嗝模式过载保护和自动恢复热关断保护。

LM5145 控制器采用 3.5 mm x 4.5 mm 热增强型 20 引脚 VQFN 封装，可提供高压引脚和可润湿侧翼的额外间距，用于焊接接头角片的光学检测。