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NVD5CxxxNL 汽车级功率 MOSFET
ON Semiconductor 提供其采用 DPAK 封装的 NVD5CxxxNL 汽车级、单 N 沟道功率 MOSFET（NVD5CxxxNL Automotive Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 NVD5CxxxNL 系列单 N 沟道功率 MOSFET 采用 DPAK 封装，为汽车应用提供了一种稳健的解决方案。此外，NVD5CxxxNL 系列通过低 RDS(ON) 将导通损耗降至最低，通过低 QG 和低电容将驱动器损耗降至最低，并符合 AEC-Q101 标准，具有 PPAP 能力。
NVD5CxxxNL 汽车级功率 MOSFET特性
导通电阻小
导通损耗最小
高电流能力
稳健的负载性能
100% 雪崩能量测试
电压过应力保护
NVD5CxxxNL 汽车级功率 MOSFET应用
低压侧驱动器
高压侧驱动器
电机驱动
汽车动力系统
汽车 HVAC 电机
ABS 压力泵
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NVD5C688NLT4G | MOSFETs-晶体管 | 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。 | ￥6.15030 | 在线订购 |
 | | NVD5C684NLT4G | MOSFETs-晶体管 | 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。 | ￥6.10200 | 在线订购 |
| | NVD5C668NLT4G | MOSFETs-晶体管 | 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP) ，适用于汽车应用。 | 在线订购 | |
 | | NVD5C446NT4G | MOSFETs-晶体管 | ￥8.37748 | 在线订购 | |
| | NVD5C434NT4G | MOSFETs-晶体管 | 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 | ￥14.67837 | 在线订购 |
应用案例
资讯小巧、轻便、高效，安森美垂直GaN解锁功率器件应用更多可能2025-12-04
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直GaN的GaN层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直GaN创新：vGaN支持高电压和高频率运行，效率优于硅芯片先进制造工厂
资讯安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来2025-12-04
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。
资讯基于安森美产品的汽车48V系统解决方案2025-12-04
早期汽车仅依赖 12V 电气系统实现点火、车灯等基础功能，而如今的汽车已截然不同。现代车辆搭载了电动助力转向、各类泵体、空调压缩机及电池组等诸多高功耗设备，给传统 12V 系统带来了巨大压力。
资讯安森美联手英诺赛科！中低压GaN器件渗透加速2025-12-03
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大氮化镓功率器件的生产规模。 备忘录中明确了合作框架，将整合安森美在集成系统与封装领域的领导地位，以及英诺赛科成熟的氮化镓技术与高产量制造能力，为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和人工智能数据中心市场提供高性价比、高能效的氮化镓
资讯艾体宝新闻 | 应对新型 IoT 僵尸网络攻击，ONEKEY 方案守护安全2025-12-02
一、事件概述 最近，安全圈爆出一起严重威胁：一种名为 ShadowV2 的新型僵尸网络／恶意软件正被黑客用于利用物联网（IoT）设备漏洞进行大规模攻击。 ShadowV2 于 2025年10月底首次被发现，与当时一次全球范围的 Amazon Web Services (AWS) 中断事件时间吻合。黑客似乎借这次混乱测试其基础设施。 恶意攻击通过 IoT 设备发起，形成“僵尸网络 (botnet)”，以发动大规模分布式拒绝服务攻击 (DDoS) 为主要目的。被攻击设备分布广泛，包括家用/办公路由器、 DVR、NAS 等
资讯安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖2025-11-27
11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
资讯基于安森美产品的在线式不间断电源解决方案2025-11-27
20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
资讯使用安森美图像传感器的AR与VR头戴设备系统应用方案2025-11-27
增强现实(AR)与虚拟现实(VR)头显标志着人机交互领域的重大飞跃，其打造的沉浸式体验远超传统屏幕交互模式。AR 头显通过同步定位与地图构建(SLAM)、深度感知及计算机视觉等核心技术，将三维物体、标注信息、空间数据等数字内容叠加于用户的现实视野中，实现虚拟元素与物理空间的精准锚定。这一特性使其在工业维护、医疗可视化、位置服务等领域，能够提供实时情境化增强功能，赋能专业场景高效运作。
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