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CG2H40045 射频功率 GaN HEMT

Cree Wolfspeed CG2H40045 射频功率 GaN HEMT （CG2H40045 RF Power GaN HEMT）适用于线性和压缩放大器电路

发布时间：2018-06-14

Cree Wolfspeed 的 CG2H40045 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40045 采用 28 V 电源轨工作，可为各种射频和微波应用提供通用型宽带解决方案。GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽，因此 CG2H40045 是线性和压缩放大器电路的理想之选。该晶体管采用法兰式和丸状封装。

CG2H40045 射频功率 GaN HEMT特性

工作频率最高可达 4 GHz
2.0 GHz 时具有 18 dB 小信号增益
4.0 GHz 时具有 14 dB 小信号增益
55 W（典型值）PSAT
PSAT 时效率为 60%
28 V 工作电压

CG2H40045 射频功率 GaN HEMT应用

双向私人对讲机
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
A 类、AB 类线性放大器，适合 OFDM、W-CDMA、EDGE 和 CDMA 波形

CG2H40045 RF Power GaN HEMT
图片	数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
		CG2H40045F	MOSFETs-晶体管	RF Mosfet 28 V 400 mA 4GHz 16dB 440193		在线订购
		CG2H40045F-TB	开发板/评估板/验证板-开发板/套件/编程器	GaN CG2H30070F HEMT 0Hz ~ 4GHz 评估板		在线订购

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CG2H40045 射频功率 GaN HEMT

CG2H40045 射频功率 GaN HEMT特性

CG2H40045 射频功率 GaN HEMT应用