购物车
上传BOM
IR3891双输出SupIRBuck®电压调节器
IR3891SuupIRBuck®集成双输出稳压器（IR3891 Dual-Output SupIRBuck® Voltage Regulator）专为空间受限的网络，服务器和存储应用而设计
发布时间：2018-06-13
IR3891双输出器件针对5 V至12 V输入的单轨操作或具有外部5 V偏压的1 V至21 V输入进行了优化。IR3891采用紧凑的5 x 6 mm PQFN封装，提供超紧凑的解决方案，适用于每通道最高4 A的应用，每通道最高可达6 A，最小165mm²。IR3891采用专有调制器方案，可实现抖动和无噪声操作，允许更高的频率和带宽操作，以实现更好的瞬态响应，并减少输出电容，从而减小整体系统尺寸。其他主要功能包括交错相位以减少输入电容，动力系统隔离以消除串扰，以及通道2上的排序功能。
IR3891双输出SupIRBuck®电压调节器特性
单5 V至21 V应用
宽输入电压范围为1 V至21 V，外部VCC
输出电压范围为0.5 V至0.86 PVIN
通过前馈增强线路/负载调节
可编程开关频率高达1.5 MHz
内部数字软启动
通过电压监控功能启用输入
热补偿电流限制和打嗝模式过流保护
具有平滑时钟的外部同步
精密基准电压（0.5 V±1％）
用于测序应用的序列引脚
集成MOSFET，驱动器和自举二极管
热关机
开放反馈线保护
过压保护
交错相减少输入电容
单调启动
工作结温为40ºC至<125ºC
小尺寸5 mm x 6 mm PQFN
无铅，无卤素，符合RoHS标准
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IR3891MTRPBF | DC-DC电源芯片-电源管理 | IC REG BUCK ADJ 4A DL PQFN | ￥42.13630 | 在线订购 |
应用案例
资讯英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数特点2023-02-24
编辑-Z Infineon/英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数： 型号：AIGW50N65H5 脉冲集电极电流（ICpuls）：150A 功耗（Ptot）：270W 工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃ 储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压（VCE）：650V G−E阈值电压VGE(th)：4.0V 集电极截止电流（ICES）：40uA G−E漏电流（I
资讯英飞凌汽车级IGBT管AIGW40N65H52023-02-24
编辑-Z AIGW40N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW40N65H5的功耗（Ptot）为250W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW40N65H5的输入电容（Ciss）为2300pF，输出电容（Coss）为43pF。AIGW40N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（I
资讯英飞凌汽车级IGBT管AIGW50N65H52023-02-24
AIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其 工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为 150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，
资讯英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数2023-02-24
英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数： 型号：AIGW40N65H5 脉冲集电极电流（ICpuls）：120A 功耗（Ptot）：250W 工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃ 储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃ 集电极-发射极电压（VCE）：650V G−E阈值电压VGE(th)：4.0V 集电极截止电流（ICES）：40uA G−E漏电流（IGES）：100nA 输入电容（Cies）：2300pF 输出电容（Coes）：43pF 打开延迟时间t
资讯如何将现有设计从TDA5200或TDA5201修改为MAX1470超外差接收器2023-02-23
本应用笔记介绍了用MAX5200超外差接收器替换设计中的TDA5201或TDA1470所需的分步步骤。
资讯三相半桥IGBT内部结构示意图2023-02-23
以英飞凌的IGBT为例原理图如下：引脚分布： 内部结构照片大方块是IIGBT，小方块是二极管方块上面是发射机，小方块上面是二极管正极
资讯英飞凌将在MWC 2023上展示其最新半导体技术如何助力构建更舒适、环保的物联网2023-02-22
【 2023 年 02 月 22 日， 德国慕尼黑 讯】 物联网技术为克服当今社会所面临的诸多挑战提供了可能，甚至能够改善生活质量、增强便利性以及提高工业生产力。而包括传感器、执行器、微控制器、连接模块以及安全组件等在内的微电子技术是所有物联网解决方案的核心。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）可提供所有微电子技术相关的产品，并将在2月27日至3月2日巴塞罗那举行的2023年世界移动通信大会（MWC）上，向参观者展示这些产品以
资讯英飞凌IGBT2023-02-16
英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于几乎所有应用。市场知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK™和XHP™系列功率模块都采用了最新的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置，电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小
工商网监