Wolfspeed的 CGHV96100F2 是采用碳化硅 (SiC) 基材的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 这种氮化镓内匹配 (IM) 型 FET 相比其它技术具有出色的功率附加效率。 氮化镓相比硅或砷化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、饱和电子漂移速度和导热率。 相比砷化镓晶体管，氮化镓 HEMT 还具有更大的功率密度和更宽的带宽。 这种 IM FET 采用金属/陶瓷带法兰封装，具有最佳的电气和热性能。