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LFPAK 双极型晶体管
NXP 首款采用 LFPAK/Power-SO8 封装的双极型晶体管（LFPAK Bipolar Transistors）
发布时间：2018-06-13
NXP Semiconductors 现提供首款采用 LFPAK56 (Power-SO8) 封装的大功率、双极型晶体管。 这些器件在仅为 DPAK 器件一半的基底面内实现了同样的电气和热性能。 性能可靠、能效高，通过了 AEC-Q101 认证，可在 175°C 的高温下工作。 NXP 将在 2014 年进一步扩大其产品组合，提供 25 个类型，高达 100 V 和 15 A 的单、双配置。 这些双极型晶体管采用高度为 1 mm 的 5 x 6mm 节省空间型封装，具有高功率耗散 (Ptot)。
NXP LFPAK 类型及竞争产品对比
| NXP 类型 (LFPAK) | 电气参数 （VCEO，IC， ICM，hFE最小/典型值） | 名称 （竞争类型） | 电气参数 （竞争类型） | 封装 （竞争类型） |
| PHPT60603PY | 60 V、3 A、8 A、200/400 | MJD32（ON、ST、Fairchild） | PN、40 V、3 A | DPAK |
| PHPT60603NY | 60 V、3 A、8 A、200/400 | MJD31（ON、ST、Fairchild） | NPN、40 V、3 A | DPAK |
| PHPT61003PY | 100 V、3 A、8 A、150/220 | MJD32C（ON、ST、Fairchild） | PNP、100 V、3 A | DPAK |
| PHPT61003NY | 100 V、3 A、8 A、150/250 | MJD31C (ON, ST, Fairchild) | NPN、100 V、3 A | DPAK |
| PHPT61002PYC | 100 V、2 A、6 A、150/220 | 2SA2205（ON、Sanyo） | PNP、100 V、3 A | DPAK |
| PHPT61002NYC | 100 V、2 A、6 A、150/250 | 2SC6099（ON、Sanyo） | NPN, 100 V, 3 A | DPAK |
LFPAK56 对 DPAK
LFPAK56 - 真正的大功率封装： 在半基底面实现类 DPAK 性能
| 参数 | LFPAK56 | DPAK |
| 可靠性/机械坚固性 | 转为可靠性而设计：坚固的铜夹，无电线 | 线粘合容易断裂 |
| 外形 | 5 x 6 mm2 | 10 x 7 mm2 |
| 厚度 | 1 mm | 2.3 mm |
| PCB 上的占用面积 | 30 mm2 | 70 mm2 |
| 全部产品组合 的最高温度 | 175°C | 150°C |
LFPAK 双极型晶体管特性
适用于高温应用（175°C）
采用坚固的铜夹，可靠性高、机械强度大（无需导线）
发热少，能效高
获得 AEC-Q101 认证
面向未来、不断增长的产品组合
LFPAK 双极型晶体管应用
电源管理
电机驱动器
负载开关
线性模式稳压器
背光照明应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PHPT60603NYX | 通用三极管-晶体管 | 60V，3A NPN高功率双极晶体管 | 在线订购 | |
| | PHPT60603PYX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 PNP Ic=3A Vceo=60V hfe=35 P=25W SOT669 | 在线订购 | |
| | PHPT61002NYCX | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 NPN Ic=2A Vceo=100V hfe=10 P=25W SOT669 | 在线订购 | |
 | | PHPT61002PYCX | 通用三极管-晶体管 | 100 V，2 A PNP高功率双极晶体管 | 在线订购 | |
| | PHPT61003PYX | 通用三极管-晶体管 | 100 V，3A PNP高功率双极晶体管 | 在线订购 | |
| | PHPT61003NYX | 通用三极管-晶体管 | 100 V，3 A NPN高功率双极晶体管 | 在线订购 |
应用案例
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闻泰科技股份有限公司（以下简称“闻泰科技”或“我司”）注意到荷兰经济事务与气候政策部（以下简称“荷兰经济部”）大臣2025年11月19日发表的“暂停实施其于2025年9月30日依据《货物可用性法案》对安世下达的行政令”的声明。作为安世半导体的唯一控股股东，闻泰科技对此高度重视，现就相关事宜作出如下回应： 一、我司对荷兰经济部决定的立场 我司注意到荷兰经济大臣的上述声明是在中国商务部与荷兰经济部磋商后发表的，我司衷心感谢中
资讯芯片地缘战:安世半导体(Nexperia)事件2025-11-03
前言：为什么要按时间线看这个事件 许多人对安世事件感到困惑，不是因为事实本身复杂，而是因为事件的各个环节似乎是"突然"发生的。美国突然实体清单、荷兰突然冻结、中国突然出口管制…… 但实际上，这一切都不是突然的。每一步都有前因，每一步都能预见下一步。 本报告将按照严格的时间顺序，展现这个事件如何从"萌芽"逐步走向"爆发"的完整过程。通过这种方式，你会发现：地缘政治的冲突不是突发的，而是精心设计、逐步升级的。 第一阶
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资讯关于敦促安世荷兰切实回应沟通解决控制权问题以保障全球供应链稳定的声明2025-11-24
近日，我方注意到安世荷兰及其相关方的一系列单方面行为，已对全球半导体产业链的稳定构成潜在威胁。为避免局势进一步升级，维护各方合法权益，我司特此发表声明如下： 自荷兰经济部不当干预以来，本着负责任的态度和维护全球客户利益的原则，在中国相关政府部门的大力帮助与推动下，我方已主动释放善意，明确表达了愿意与安世荷兰方面就如何恢复闻泰科技的合法控制权、妥善解决当前争端进行建设性沟通。我们始终相信，通过坦诚对话解
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