IXYS 的 Depletion-Mode D2™ 功率 MOSFET 性能独特，无法用常见的同类增强型器件替代。 与常规的 N 沟道增强模式型器件不同，耗尽模式功率 MOSFET 需要零栅极偏置电压导通、负栅极偏置电压关断，但其他器件则没有类似特性。 “常开”工作模式结合更强的线性工作能力，使这些器件成为电流源、电流调节器、固态继电器、电平转换、有源负载、启动电路和有源功率滤波器的理想器件。

这些器件的阻断电压为 500 V 至 1000 V，导通电阻 (Rdson) 低至 500 mΩ（最大值），漏电流额定值高达 6 A。它们在用于离线应用中的线路接口时能够提供简化的控制并减少了线路电压耗散。 由于这些器件无需电能或栅极电压即可打开，因此可通过将器件实现到零功率“常开”负载开关应用中实现高能效。 凭借高度电流调节能力，这些器件在电源滤波器应用中可充当高动态阻抗的有源电感器使用，从而限制电压和电流噪声以及尖峰。 此外，这些器件可提供主动电路保护，以限制短路或过载条件下的浪涌电流。