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碳化硅 (SiC) 超高速开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080
Littelfuse 提供增强模式 SiC MOSFET 1200 V、80 mΩ、N 沟道 LSIC1MO120E0080（Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET - LSIC1MO120E Series）
发布时间：2018-06-13
Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0080 提供低导通电阻和超低开关损耗的结合，具有传统 1200 V 类功率晶体管所无可比拟的优势。作为首款碳化硅 MOSFET，其坚固设计可容纳更广范围的高温应用。更小的散热器和更高的功率密度可实现更高能效和更小无源滤波器，且更高的功率密度支持更高的开关频率。该器件在同样电压/电流额定值下具有更小的芯片尺寸。
碳化硅 (SiC) 超高速开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080特性
超快开关速度
降低了开关损耗
高工作温度
高阻断电压和低比导通电阻（SiC 材料特性）
碳化硅 (SiC) 超高速开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080应用
电源转换系统
太阳能逆变器
开关模式电源
UPS 系统
电机驱动器
高压 DC/DC 转换器
电池充电器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | LSIC1MO120E0080 | MOSFETs-晶体管 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 在线订购 |
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