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    DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器

    DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器

    Texas Instruments 的 DRV5012 超低功耗数字锁存霍尔效应传感器(DRV5012 Digital-Latch Hall Effect Sensor),VCC 范围为 1.65 V 至 5.5 V

    发布时间:2018-06-13

    Texas Instruments 的 DRV5012 器件是一款超低功耗数字锁存霍尔效应传感器,具有可通过选择的采样率。
    当南磁极靠近封装顶部并超过 BOP 阈值时,器件将驱动一个低电压。该输出会保持低电平直至施加北磁极且 BRP 阈值被超越,这将导致输出驱动高电压。需要交替北极和南极来切换输出,集成磁滞将 BOP 和 BRP 分开以提供可靠的切换。
    DRV5012 器件使用了一个使用内部振荡器,采样磁场并根据 SEL 引脚以 20 Hz 或 2.5 kHz 的速率更新输出。这种双带宽功能允许系统只需使用最小的功率即可监控运动的变化。
    该器件工作在 1.65 V 至 5.5 V 的 VCC 范围,并采用小 X2SON 封装。

    DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器特性

    • 业界领先的低功耗

    • 引脚可选采样率:

           SEL = 低:20 Hz,使用 1.3 μA(1.8 V)时

           SEL = 高:2.5 kHz,使用 142 μA(1.8 V)时

    • 工作 VCC 电压范围为 1.65 V 至 5.5 V

    • 高磁敏度:±2 mT(典型值)

    • 强磁滞:4 mT(典型值)

    • 推挽式 CMOS 输出

    • 小而薄的 X2SON 封装

    • -40°C 至 +85°C 工作温度范围

    DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器应用

    1. 增量旋转编码:

           电机速度

           机械行程

           流体测量

           旋钮旋转

           轮速

    2. 无刷直流电机传感器

    3. 便携式医疗设备

    4. 电子锁,电动自行车,电动百叶窗

    5. 流量计

    6. 非接触式激活

    DRV5012 Digital-Latch Hall Effect Sensor
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    DRV5012AEDMRT霍尔开关-传感器DRV5012 低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器¥5.45318在线订购
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