
DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器

Texas Instruments 的 DRV5012 超低功耗数字锁存霍尔效应传感器(DRV5012 Digital-Latch Hall Effect Sensor),VCC 范围为 1.65 V 至 5.5 V
发布时间:2018-06-13
Texas Instruments 的 DRV5012 器件是一款超低功耗数字锁存霍尔效应传感器,具有可通过选择的采样率。
当南磁极靠近封装顶部并超过 BOP 阈值时,器件将驱动一个低电压。该输出会保持低电平直至施加北磁极且 BRP 阈值被超越,这将导致输出驱动高电压。需要交替北极和南极来切换输出,集成磁滞将 BOP 和 BRP 分开以提供可靠的切换。
DRV5012 器件使用了一个使用内部振荡器,采样磁场并根据 SEL 引脚以 20 Hz 或 2.5 kHz 的速率更新输出。这种双带宽功能允许系统只需使用最小的功率即可监控运动的变化。
该器件工作在 1.65 V 至 5.5 V 的 VCC 范围,并采用小 X2SON 封装。
DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器特性
业界领先的低功耗
引脚可选采样率:
SEL = 低:20 Hz,使用 1.3 μA(1.8 V)时
SEL = 高:2.5 kHz,使用 142 μA(1.8 V)时
工作 VCC 电压范围为 1.65 V 至 5.5 V
高磁敏度:±2 mT(典型值)
强磁滞:4 mT(典型值)
推挽式 CMOS 输出
小而薄的 X2SON 封装
-40°C 至 +85°C 工作温度范围
DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器应用
增量旋转编码:
电机速度
机械行程
流体测量
旋钮旋转
轮速
无刷直流电机传感器
便携式医疗设备
电子锁,电动自行车,电动百叶窗
流量计
非接触式激活
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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