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DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器
Texas Instruments 的 DRV5012 超低功耗数字锁存霍尔效应传感器（DRV5012 Digital-Latch Hall Effect Sensor），VCC 范围为 1.65 V 至 5.5 V
发布时间：2018-06-13
Texas Instruments 的 DRV5012 器件是一款超低功耗数字锁存霍尔效应传感器，具有可通过选择的采样率。
当南磁极靠近封装顶部并超过 BOP 阈值时，器件将驱动一个低电压。该输出会保持低电平直至施加北磁极且 BRP 阈值被超越，这将导致输出驱动高电压。需要交替北极和南极来切换输出，集成磁滞将 BOP 和 BRP 分开以提供可靠的切换。
DRV5012 器件使用了一个使用内部振荡器，采样磁场并根据 SEL 引脚以 20 Hz 或 2.5 kHz 的速率更新输出。这种双带宽功能允许系统只需使用最小的功率即可监控运动的变化。
该器件工作在 1.65 V 至 5.5 V 的 VCC 范围，并采用小 X2SON 封装。
DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器特性
业界领先的低功耗
引脚可选采样率：
SEL = 低：20 Hz，使用 1.3 μA（1.8 V）时
SEL = 高：2.5 kHz，使用 142 μA（1.8 V）时
工作 VCC 电压范围为 1.65 V 至 5.5 V
高磁敏度：±2 mT（典型值）
强磁滞：4 mT（典型值）
推挽式 CMOS 输出
小而薄的 X2SON 封装
-40°C 至 +85°C 工作温度范围
DRV5012 数字锁存霍尔效应传感器应用
增量旋转编码：
电机速度
机械行程
流体测量
旋钮旋转
轮速
无刷直流电机传感器
便携式医疗设备
电子锁，电动自行车，电动百叶窗
流量计
非接触式激活
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DRV5012AEDMRT | 霍尔开关-传感器 | DRV5012 低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | ￥5.46891 | 在线订购 |
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