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    AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

    AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

    ROHM Semiconductor 用于汽车应用的碳化硅肖特基势垒二极管(AEC-Q101 Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes)

    发布时间:2018-06-13

    Rohm Semiconductor 的第 2 代、D2PAK、AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管降低了开关损耗,减少了与高温度相关的麻烦,且具有更高的可靠性,因此非常适合用于像 HEV/EV 电源这样的较高电压汽车应用。

    AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管特性

    • 通过 AEC-Q101 鉴定

    • 低正向电压 -VF

    • 低开关损耗

    • 快速开关速度和快速反向恢复(低 trr)

    • 减少了与高温度相关的麻烦

    • 电流范围为 6 A 至 20 A

    • 符合 RoHS 规范

    • 封装:D2PAK(LPTL 或 TO-263AB)

    AEC-Q101 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管应用

    1. 汽车高功率 DC/DC 转换器

    2. HEV/EV 充电器

    3. 开关模式电源

    4. 太阳能逆变器

    5. DC/DC 转换器

    6. 电机驱动器

    7. UPS

    Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    SCS212AJHRTLL碳化硅二极管-二极管DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB¥41.47180在线订购
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