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    下一代 SiC 肖特基势垒二极管

    下一代 SiC 肖特基势垒二极管

    Microsemi 的肖特基势垒二极管产品(Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes)是电气化应用的理想选择

    发布时间:2018-06-13

    Microsemi 宣布推出 1200 V、10 A 和 20 A SiC 肖特基势垒二极管产品,同时 30 A 和 50 A SiC 二极管即将出炉。凭借相比竞争产品高出 20% 的雪崩能量/UIS 额定值、高重复浪涌电流稳健性以及固有的 SiC 效率和系统成本优势,Microsemi SiC 二极管成为像高电压 HEV/EV 充电站模块中 PFC 和输出整流、车载充电器、DC-DC 转换器、能量回收系统和开关模式电源这样的电气化应用的理想选择。

    下一代 SiC 肖特基势垒二极管特性

    • 在更高电压 (> 650 V) 和更高开关频率下具体能效优势

    • 更低的正向电压 (VF) 可实现更低的静态损耗和更高的能效

    • 低 EMI 几乎完全防止了硬开关期间的反向恢复充电 (Qrr)

    • 更高温度 (+175°C) 下稳定工作

    • 在相同的物理尺寸、更低的成本(更小的磁性元件和滤波器、更少的冷却/散热器成本等)条件下,系统效率实现了 25% 的功率输出增加

    Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    MSC010SDA120B时钟/计时 - IC 电池DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247¥43.04810在线订购
    MSC020SDA120B电子元器件-待分类商品SILICON CARBIDE DIODE¥99.21004在线订购
    MSC010SDA120K电子元器件-待分类商品SILICON CARBIDE DIODE在线订购
    MSC030SDA120B综合元器件-综合类目MSC030SDA120B¥96.06155在线订购
    MSC010SDA070K时钟/计时 - IC 电池DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3¥19.43308在线订购
    MSC030SDA070K时钟/计时 - IC 电池DIODE SCHOTTKY 700V 30A TO220-3在线订购
    MSC015SDA120B时钟/计时 - IC 电池DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247¥60.60303在线订购
    MSC050SDA070B电子元器件-待分类商品SILICON CARBIDE DIODE¥56.47742在线订购
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