
下一代 SiC 肖特基势垒二极管

Microsemi 的肖特基势垒二极管产品(Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes)是电气化应用的理想选择
发布时间:2018-06-13
Microsemi 宣布推出 1200 V、10 A 和 20 A SiC 肖特基势垒二极管产品,同时 30 A 和 50 A SiC 二极管即将出炉。凭借相比竞争产品高出 20% 的雪崩能量/UIS 额定值、高重复浪涌电流稳健性以及固有的 SiC 效率和系统成本优势,Microsemi SiC 二极管成为像高电压 HEV/EV 充电站模块中 PFC 和输出整流、车载充电器、DC-DC 转换器、能量回收系统和开关模式电源这样的电气化应用的理想选择。
下一代 SiC 肖特基势垒二极管特性
在更高电压 (> 650 V) 和更高开关频率下具体能效优势
更低的正向电压 (VF) 可实现更低的静态损耗和更高的能效
低 EMI 几乎完全防止了硬开关期间的反向恢复充电 (Qrr)
更高温度 (+175°C) 下稳定工作
在相同的物理尺寸、更低的成本(更小的磁性元件和滤波器、更少的冷却/散热器成本等)条件下,系统效率实现了 25% 的功率输出增加
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | MSC010SDA120B | 时钟/计时 - IC 电池 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247 | ¥44.63325 | 在线订购 |
![]() | | MSC020SDA120B | 未分类-待分类商品 | SILICON CARBIDE DIODE | ¥99.50615 | 在线订购 |
| | MSC010SDA120K | 未分类-待分类商品 | SILICON CARBIDE DIODE | ¥40.15963 | 在线订购 | |
![]() | | MSC030SDA120B | 综合元器件-综合类目 | MSC030SDA120B | ¥96.34826 | 在线订购 |
![]() | | MSC010SDA070K | 时钟/计时 - IC 电池 | DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3 | ¥20.14866 | 在线订购 |
![]() | | MSC030SDA070K | 时钟/计时 - IC 电池 | DIODE SCHOTTKY 700V 30A TO220-3 | ¥31.61155 | 在线订购 |
![]() | | MSC015SDA120B | 时钟/计时 - IC 电池 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247 | ¥60.78390 | 在线订购 |
![]() | | MSC050SDA070B | 未分类-待分类商品 | SILICON CARBIDE DIODE | ¥56.63509 | 在线订购 |
应用案例
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