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SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
Vishay 的 SiR626DP-T1-RE3 60 V N 沟道 MOSFET （SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET® Gen IV Power MOSFET）具有业内一流的 RDS(ON) - Qg 品质因数 (FOM)
发布时间：2018-06-13
Vishay 的 SIR626DP-T1-RE3 TrenchFET® 第四代功率 MOSFET 拥有业内很低的导通电阻和栅极总电荷。该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，优化了互连设计，从而将封装电阻减小了 66%。
SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET® 第四代功率 MOSFET特性
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
较低的 RDS - Qg FOM
经过调谐，实现了最小 RDS - QOSS FOM
SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET® 第四代功率 MOSFET应用
同步整流
初级侧开关
DC/DC 转换器
太阳能微型逆变器
电机驱动开关
电池和负载开关
工业
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIR626DP-T1-RE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥4.84480 | 在线订购 |
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