π-MOS IX 系列包含 TK650A60F、TK750A60F、TK1K2A60F 和 TK1K9A60F，基于 Toshiba 的第九代 600 V 平面 MOSFET 系列。

依靠优化的芯片设计，π-MOS IX 系列的峰值 EMI 噪声比目前的 π-MOS VII 系列低 5 dB，同时保持相同的效率水平。该器件带来了更大的设计自由，因此有助于降低设计工作量。此外，该 π-MOS IX 系列具有相同的额定雪崩电流和额定直流电流 (DC)，因此可轻易替换现有的 MOSFET。

Toshiba 将扩大 π-MOS IX 系列，增加更多的 600 V 器件、500 V 器件和 650 V 器件。