STMicroelectronics 的场效应整流器二极管 (FERD) 系列采用独特的低正向压降 (F) 和低漏泄电流 (IR) 平衡技术，能让电池充电器和笔记本电脑适配器等设备的设计人员无需同步整流技术，即可满足最严格的能效标准要求，从而节约成本。如能源之星 (Energy Star) 6.0 等标准会利用电池充电器和笔记本电脑适配器中的传统肖特基二极管测试能达到的极限。同步整流虽性能出色，但成本高昂。ST FERD 系列提供了一种充满吸引力的替代方案，因该方案达到了离线开关模式电源 (SMPS) 节能标准规定的能效水平，而其成本则比同步整流套件少约 30%。

基于获得专利的 ST FERD 技术，这些二极管的范围为 15 A 至 2 x 30 A 和 45 V 至 60 V，在给定的硅表面积内实现了业内一流的 VF/IR。例如，采用 FERD 技术的 30 A 器件的正向电压降比传统 30 A 肖特基二极管小约 140mV，但不会增大漏泄电流。凭借较低正向电压降和控制良好的漏泄电流，ST 技术在给定的封装功率耗散能力下可增大流经的电流。该器件的优势包括，加快智能手机和平板电脑充电过程、减小笔记本电脑充电器的尺寸和重量，并延长设备使用寿命（因 FERD 工作在低温环境下）。这种 FERD 技术也非常适合其它领域的应用和系统，如汽车应用中的续流或反向电池保护、电信电源中的 OR-ring 或者工业系统中的整流；并且这种技术可运用到具有不同电压、电流的 FERD 二极管器件中，以满足不同的市场需求。FERD 器件目前包括十二个型号，采用 TO-220AB、D²PAK 或 PowerFLATTM™ 5 x 6 封装。