Vishay Siliconix p 沟道 TrenchFET® 第三代和第四代 MOSFET 是具有最低单位面积导通电阻的 p 沟道 MOSFET，仅为此前业内最佳值的一半。

• 最低单位面积导通电阻可实现最小的 PCB

• 更低的电压降提高了效率和电池运行时间

• 双通道器件使电池充电器设计能够降低潜在元件数

Vishay p 沟道 TrenchFET 第三代和第四代 MOSFET 具有各种各样的封装尺寸和导通电阻额定值，适合宽范围的应用。此外，低导通电阻可实现低导通损耗，节省电力和延长每次充电的电池使用寿命。