
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

使用来自 ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 二极管(Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes)设计下一代电源系统
发布时间:2018-06-13
ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用一种全新的技术,可为硅提供出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。ON Semiconductor 推出具有一系列电流和封装选择的 650V 和 1200V 器件,将下一代电源系统的能效和功率密度的设计范围提升到新的高度。
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管特性
无反向 QRR 恢复,无正向恢复
低正向电压(更低的导通损耗)
工作温度范围内的漏泄稳定性
独立于温度的开关特性
更高的浪涌和雪崩能力
正温度系数
更高工作温度(TJMAX = 175 °C)
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管应用
太阳能光伏逆变器 (PV)
功率因数校正 (PFC)
电动/混合动力汽车充电器
不间断电源 (UPS)
电信和服务器电源
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | FFSP10120A | 碳化硅二极管-二极管 | 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。 | ¥68.84380 | 在线订购 |
![]() | | FFSP15120A | 碳化硅二极管-二极管 | 碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,由于采用新型半导体材料——碳化硅,提供比硅二极管更高的系统效率,支持更高的运行频率,并且有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行 | ¥68.71204 | 在线订购 |
![]() | | FFSP3065A | 碳化硅二极管-二极管 | DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2 | ¥84.36467 | 在线订购 |
![]() | | FFSP20120A | 碳化硅二极管-二极管 | 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。 | ¥107.28280 | 在线订购 |
![]() | | FFSP0665A | 碳化硅二极管-二极管 | ¥36.96402 | 在线订购 | |
![]() | | FFSP0865A | 碳化硅二极管-二极管 | 二极管 650 V 13A 通孔 TO-220-2 | ¥42.22703 | 在线订购 |
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