碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
使用来自 ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 二极管(Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes)设计下一代电源系统
发布时间:2018-06-13
ON Semiconductor 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用一种全新的技术,可为硅提供出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。ON Semiconductor 推出具有一系列电流和封装选择的 650V 和 1200V 器件,将下一代电源系统的能效和功率密度的设计范围提升到新的高度。
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管特性
无反向 QRR 恢复,无正向恢复
低正向电压(更低的导通损耗)
工作温度范围内的漏泄稳定性
独立于温度的开关特性
更高的浪涌和雪崩能力
正温度系数
更高工作温度(TJMAX = 175 °C)
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管应用
太阳能光伏逆变器 (PV)
功率因数校正 (PFC)
电动/混合动力汽车充电器
不间断电源 (UPS)
电信和服务器电源
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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