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场截止 IGBT 技术
ON Semiconductor 的场截止 IGBT （Field Stop (FS) IGBT Technology）具有高输入阻抗和高电流能力
发布时间：2018-12-21
ON Semiconductor 的场截止 (FS) IGBT 技术能让设计人员开发出具有更高输入电压，提供最佳性能的高度可靠的系统，以支持需要低传导和开关损耗的应用。 IGBT 具有高电流处理能力、正温度系数、紧密的参数分布和宽安全工作区。 更高的击穿电压提高了负环境温度下的可靠性。 随着温度下降，IGBT 和 RFD 的阻断电压也会随之降低，使得这些器件极其适用于在寒冷地区安装的光伏太阳能逆变器。 因为 IGBT 和续流二极管的选用是实现高能效的关键，ON Semiconductor IGBT 提供快速软恢复，降低了功率耗散并实现低导通和关断损耗。 ON Semiconductor FS 技术带来了高性能，同时又不牺牲可靠性和坚固性，并致力于持续改进 IGBT 性能。 我们的第四代技术开发实现了出色的平衡特性和更稳固的动态闩锁效应，其性能优于任何其它 FS IGBT。白皮书 - 详细分析和性能结果
场截止 IGBT 技术特性
最高结温：Tj = 175 °C
正温度系数，易于并联工作
零件 100% 经过 ILM(1) 测试
低饱和电压：
VCE(sat) = 1.8 V（典型值）@ IC = 30 A、40 A、60 A高输入阻抗
开关速度快
紧密的参数分布
符合 RoHS 规范
高电流能力
场截止 IGBT 技术应用
焊机和工业应用以及功率因数校正
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGA4060ADF | IGBT-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | FGY75N60SMD | IGBT-晶体管 | ￥36.30000 | 在线订购 | |
 | | FGY40T120SMD | IGBT-晶体管 | 安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。 | ￥67.20000 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGH40T65UPD | IGBT-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | FGA20S140P | MOSFETs-晶体管 | IGBT Trench Field Stop 1400V 40A 272W Through Hole TO-3PN | 在线订购 |
应用案例
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一、事件概述 最近，安全圈爆出一起严重威胁：一种名为 ShadowV2 的新型僵尸网络／恶意软件正被黑客用于利用物联网（IoT）设备漏洞进行大规模攻击。 ShadowV2 于 2025年10月底首次被发现，与当时一次全球范围的 Amazon Web Services (AWS) 中断事件时间吻合。黑客似乎借这次混乱测试其基础设施。 恶意攻击通过 IoT 设备发起，形成“僵尸网络 (botnet)”，以发动大规模分布式拒绝服务攻击 (DDoS) 为主要目的。被攻击设备分布广泛，包括家用/办公路由器、 DVR、NAS 等
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11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
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20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
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增强现实(AR)与虚拟现实(VR)头显标志着人机交互领域的重大飞跃，其打造的沉浸式体验远超传统屏幕交互模式。AR 头显通过同步定位与地图构建(SLAM)、深度感知及计算机视觉等核心技术，将三维物体、标注信息、空间数据等数字内容叠加于用户的现实视野中，实现虚拟元素与物理空间的精准锚定。这一特性使其在工业维护、医疗可视化、位置服务等领域，能够提供实时情境化增强功能，赋能专业场景高效运作。
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在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。安森美(onsemi)凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问，并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。
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