STMicroelectronics PWD13F60 是完整的 600 V、8 A 集成式功率 MOSFET 全桥，采用 13 mm x 10 mm 封装，带嵌入式的栅极驱动器。该器件可为工业电机驱动器、灯具镇流器、电源、转换器和逆变器节省物料清单成本和板空间。
凭借比分立元件构建的同类电路体积小 60% 的封装，PWD13F60 提升了最终应用的功率密度。它集成了四个功率 MOSFET，能为 DC 电机提供独特的高效解决方案；是市场上通常为双 FET 半桥或六 FET 三相设备的其他模块的真正替代方案。与这些选择不同的是，只需一个 PWD13F60 即可实现全桥拓扑结构，而不使用内部 MOSFET。