购物车
上传BOM
ST25DV-PWM 系列动态 NFC/RFID 标签 IC
STMicroelectronics 的 ST25DV-PWM 系列 NFC/RFID 标签 IC（ST25DV-PWM Series Dynamic NFC/RFID Tag IC），可通过非接触式接口进行控制
发布时间：2018-11-26
STMicroelectronics 的 ST25DV02K-W1/W2 系列动态 NFC/RFID 标签是 ISO/IEC 15693 NFC Forum 5 型器件，具有由非接触式接口控制的脉冲宽度调制 (PWM) 输出。它们支持所有 ISO/IEC 15693 调制、编码、子载波模式和数据速率。该系列 IC 提供 13.56 MHz 远程接口，兼容 NFC 手机和读取器。PWM 输出可以独立安全地进行编程设定，允许广泛应用。该 IC 通过非接触式接口提供 PWM 参数的实时更新，从而扩展了用户体验。ST25DV02K-W1 提供一个 PWM 输出，而 ST25DV02K-W2 提供两个 PWM 输出。这些器件提供多达四个独立区域的数据保护，包括 PWM 控制区域，以及基于 32/64 位密码的灵活保护机制。
ST25DV-PWM 系列动态 NFC/RFID 标签 IC特性
PWM 输出
多至 2 个独立输出（ST25DV02K-W1 1 个；ST25DV02K-W2 是 2 个）
从 488 Hz 到 31,250 Hz
62.5 ns 脉冲宽度分辨率（从 488 Hz 的 15 位分辨率到 31.25 kHz 的 9 位分辨率）
精度：在温度范围内为 ±10%
无需外部振荡器
供电电压为 1.8 V 至 5.5 V，与非接触式接口无关
独立的推挽式输出（高达 4 mA 的每路输出驱动能力；可调输出驱动，适用于低功耗和低噪声应用）
通过非接触式接口控制的 PWM 参数实时更新
非接触式接口
基于 ISO/IEC 15693 和 NFC Forum 5 型标签
支持所有 ISO/IEC 15693 调制、编码、子载波模式和数据速
单个和多个块读取
内部调谐电容：28.5 pF
存储器
2 Kb EEPROM
可以 4 字节的块进行访问
5 ms 典型写入时间（一个块）
数据保持时间：40 年
写周期耐久性：85°C 时 10 万次写入
数据保护
最多 4 个独立区域，包括 PWM 控制区域，具有基于 32/64 位密码的灵活保护机制
系统配置：通过 32 位密码写保护
用于身份验证的 TruST25™ 数字签名机制
温度范围：
非接触式接口：-40°C 至 +85°C
PWM 接口：-40°C 至 +105°C
封装
8 引脚封装
ECOPACK2®（符合 RoHS 规范）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ST25DV-PWM-ESET | RF其它IC和模块-射频器件 | - ST25DV02K-W2 近场通信（NFC） 13.56MHz 评估板 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ST25DV02K-W1R8S3 | RF双工器-射频/IF和RFID | RFID 应答器 IC 13.56MHz ISO 15693，NFC PWM 1.8V ~ 5.5V 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | ￥5.73484 | 在线订购 |
 | | ST25DV02K-W2R8S3 | RF双工器-射频/IF和RFID | IC RFID TRANSP 13.56MHZ 8SO | 在线订购 |
应用案例
资讯意法半导体GaN栅极驱动器助力打造运动控制解决方案2025-12-03
了解专为N沟道增强模式GaN晶体管打造的高压半桥栅极驱动器的最新技术成果。此类器件具有无与伦比的效率和可靠性，堪称SMPS、电池充电器、适配器、泵、压缩机等各种消费类和工业应用的理想选择。意法半导体GaN栅极驱动器搭载了集成自举二极管，且具有出色的电流能力和较短的传播延迟，堪称驱动器技术的全新标杆。为了简化开发和集成过程，我们推出了适用于STDRIVEG610和STDRIVEG611的评估板；它们可以帮助用户轻松、快速地完成原型开发工作。
资讯意法半导体TSB18系列运算放大器的应用示例2025-12-03
意法半导体TSB18系列运算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性优势。无论您正在设计工业控制系统、汽车电子、医疗设备还是仪器仪表，TSB181和TSB182高精度运算放大器都能满足严苛应用对高精度、低噪声和宽频带的要求。
资讯意法半导体高压MOSFET明星产品深度解析2025-12-03
高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势，已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高压MOSFET技术研发，以全系列产品与创新方案，为多领域发展注入强劲动力。
资讯基于意法半导体STSPIN32G4的伺服电机驱动器设计方案2025-11-10
伺服驱动应用市场对尺寸、功率密度和可靠性均提出严苛要求，这使得设计稳健解决方案充满挑战。意法半导体近期发布的EVLSERVO1参考设计以其紧凑结构和强大性能精准应对这一领域需求。
资讯2025意法半导体STM32全球线上峰会亮点回顾2025-12-03
近期举办的STM32全球线上峰会聚焦微控制器技术突破与生态升级，从重磅新品发布、AI模型库扩容、GUI迭代、安全功能升级多个维度，搭配STM32 Sidekick AI工具提高技术内容检索效率，展现ST赋能全球开发者的实力。峰会同时披露，继5月宣布双供应链战略后，ST与华虹宏力合作的40nm STM32产品即将于本季度开始量产交付，坚持全球统一质量标准，实现100%兼容，首批中国制造的STM32产品即将送达客户。
资讯2025意法半导体STM32全球线上峰会亮点回顾2025-12-03
近期举办的STM32全球线上峰会聚焦微控制器技术突破与生态升级，从重磅新品发布、AI模型库扩容、GUI迭代、安全功能升级多个维度，搭配STM32 Sidekick AI工具提高技术内容检索效率，展现ST赋能全球开发者的实力。峰会同时披露，继5月宣布双供应链战略后，ST与华虹宏力合作的40nm STM32产品即将于本季度开始量产交付，坚持全球统一质量标准，实现100%兼容，首批中国制造的STM32产品即将送达客户。
资讯2025意法半导体STM32全球线上峰会亮点回顾2025-12-03
近期举办的STM32全球线上峰会聚焦微控制器技术突破与生态升级，从重磅新品发布、AI模型库扩容、GUI迭代、安全功能升级多个维度，搭配STM32 Sidekick AI工具提高技术内容检索效率，展现ST赋能全球开发者的实力。峰会同时披露，继5月宣布双供应链战略后，ST与华虹宏力合作的40nm STM32产品即将于本季度开始量产交付，坚持全球统一质量标准，实现100%兼容，首批中国制造的STM32产品即将送达客户。
资讯2025意法半导体STM32全球线上峰会亮点回顾2025-12-03
近期举办的STM32全球线上峰会聚焦微控制器技术突破与生态升级，从重磅新品发布、AI模型库扩容、GUI迭代、安全功能升级多个维度，搭配STM32 Sidekick AI工具提高技术内容检索效率，展现ST赋能全球开发者的实力。峰会同时披露，继5月宣布双供应链战略后，ST与华虹宏力合作的40nm STM32产品即将于本季度开始量产交付，坚持全球统一质量标准，实现100%兼容，首批中国制造的STM32产品即将送达客户。
工商网监