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TK040N65Z 超级结 650 V MOSFET
Toshiba 的 TK040N65Z 高效 DC-DC 转换器/开关稳压器(TK040N65Z Superjunction 650 V MOSFET)
发布时间：2018-10-11
Toshiba TK040N65Z 系列下一代 650 V 功率 MOSFET 适用于数据中心、太阳能 (PV) 功率调节器、不间断电源系统 (UPS) 和其他工业应用中的服务器电源。
DTMOS VI 系列中的第一个器件是 TK040N65Z，这是一款支持高达 57 A 连续漏电流 (ID) 和 228 A (IDP) 脉冲的 650 V 器件。
该器件提供 0.04 Ω（0.033 Ω 典型值）超低漏-源导通电阻 RDS(ON)，可降低功率应用中的损耗。由于减小了设计中的电容，增强模式器件适用于现代高速电源。
由于关键性能指标/品质因数 (FoM) - RDS(ON) x QGD 的降低，电源效率得到提高。与之前的 DTMOS IV-H 器件相比，TK040N65Z 在这一重要指标上的性能提高了 40%，这表明在 2.5 kW PFC 电路中测得的电源效率显着提高了 0.36%。
TK040N65Z 超级结 650 V MOSFET特性
更低的 RDS(ON) × QGD 允许开关电源以提高效率
TK040N65Z 超级结 650 V MOSFET应用
数据中心（服务器电源）
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TK040N65Z,S1F | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 650 V 57A（Ta） 360W（Tc） TO-247 | ￥121.53782 | 在线订购 |
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