NDB16P 是一款经过 Insignis 专有的扩展测试流程检测的高速 CMOS DDR2 同步 DRAM，可减少早期故障，并具有确保工业用途的优秀质量和长期可靠性。这些器件设计符合 DDR2 DRAM 的关键特性，如公布的 CAS# 具有附加延迟、写延迟 = 读延迟 - 1 以及片内端接 (ODT) 。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）被锁定。所有 I/O 都以源同步方式与一对双向选通（DQS 和 DQS#）信号同步。
以交错方式操作存储体允许随机访问操作以比标准 DRAM 可能更高的速率发生。可启用自动预充电功能，以提供一个在猝发序列结束时激活的自定时行预充电。根据猝发长度、CAS 延迟和器件的速度等级，可以实现顺序和无间隙数据速率。