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    LMG1020 5 V,7 A/5 A 低压侧 GaN 驱动器

    LMG1020 5 V,7 A/5 A 低压侧 GaN 驱动器

    Texas Instruments 的 LMG1020 栅极驱动器(LMG1020 5 V, 7 A/5 A Low-Side GaN Driver),具有 60 MHz/1 ns 速度,适用于 GaN 和逻辑电平硅功率晶体管

    发布时间:2018-10-11

    Texas Instruments 的 LMG1020 器件是一款单低压侧驱动器,设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET,包括 LiDAR、飞行时间 (ToF)、人脸识别以及任何涉及低压侧驱动器的电源转换器。LMG1020 的设计简单,可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器,可针对上拉和下拉边沿独立调节强度。
    该驱动器可在过载或故障情况下提供欠压锁定 (UVLO) 和超温保护 (OTP)。
    LMG1020 采用 0.8 mm×1.2 mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极环路电感,并最大限度地提高高频应用中的功率密度。

    LMG1020 5 V,7 A/5 A 低压侧 GaN 驱动器特性

    • 用于 GaN 和硅 FET 的低压侧、超快速栅极驱动器

    • 最小 1 ns 输入脉冲宽度

    • 工作频率高达 60 MHz

    • 典型值 2.5 ns,最大 4.5 ns 传播延迟

    • 典型值 400 ps上升和下降时间

    • 7 A 峰值拉电流和 5 A 峰值灌电流

    • 5 V 电源电压

    • UVLO 和 OTP 保护

    • 0.8 mm x 1.2 mm WCSP 封装

    LMG1020 5 V,7 A/5 A 低压侧 GaN 驱动器应用

    1. LIDAR

    2. ToF 激光驱动器

    3. 人脸识别

    4. E 级无线充电器

    5. VHF 谐振功率转换器

    6. GaN 基同步整流器

    7. 增强型现实

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