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    RClamp3354S.TCT TVS 二极管

    RClamp3354S.TCT TVS 二极管

    用于敏感元器件的 Semtech 低压 RailClamp® 浪涌保护(RClamp3354S.TCT TVS Diode)

    发布时间:2018-10-11

    Semtech 的 RClamp3354S.TCT RailClamp® TVS 二极管可保护连接到高速数据和传输线的敏感元件免受电快速瞬变 (EFT)、电缆放电事件 (CDE) 和静电放电 (ESD) 引起的过压危害。

    该二极管在单一封装中结合了抗浪涌、低电容控向二极管和一个 TVS 二极管。每个器件可保护多达四个高速线路。RClamp3354S.TCT 可承受高电平浪涌电流 (25 A, 8 /20μs),同时保持低于 5 pF 的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和 LVDS 接口等应用。

    该 TVS 二极管采用 Semtech 专有的 EPD 工艺技术制造。EPD 工艺与硅雪崩二极管工艺相比,能提供低断态电压并显著减少漏泄电流和电容。该器件具有 3.3 V 低工作电压。


    RClamp3354S.TCT TVS 二极管特性

    • 最多可保护四条 I/O 线

    • 用于高速接口的低电容:<5 pF

    • 低动态电阻:0.25 Ω

    • 低工作电压:3.3 V

    • 固态硅雪崩技术

    • 高速数据线路的瞬变保护:

         IEC-61000-4-2 ESD 30 kV(空气)、30 kV(接触)

         IEC 61000-4-4 (EFT) 40 A (5/50 ns)

         IEC 61000-4-5(闪电)20 A (8/20 μs)

    • 浪涌抑制二极管阵列,带内部 TVS 二极管


    RClamp3354S.TCT TVS 二极管应用

    1. 10/100/1000 以太网

    2. 中心局设备

    3. LVDS 接口

    4. MagJacks 和集成磁性元件

    5. 笔记本、台式机和服务器

    RClamp3354S.TCT RailClamp® TVS Diode
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    RCLAMP3354S.TCTESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件TVS二极管 VRWM=3.3V VBR(Min)=3.5V VC=16V IPP=25A Ppp=400W SOT23-5L¥3.65040在线订购

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