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STL12N10F7 STripFET™ F7 功率 MOSFET
STMicroelectronics 的 STL12N10F7 （STL12N10F7 STripFET™ F7 Power MOSFET）采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低导通电阻
发布时间：2018-10-11
STMicroelectronics 的 STL12N10F7 N 沟道 100 V、11.3mΩ 典型电阻、12 A 功率 MOSFET 采用PowerFLAT™3.3 x 3.3 封装和 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构且可实现极低导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
STL12N10F7 STripFET™ F7 功率 MOSFET特性
市面上最小的 RDS(ON)
出色的 FoM（品质因数）
最低 Crss/Ciss 比率，以增强抗 EMI 性能
高雪崩稳固性
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STL12N10F7 | MOSFETs-晶体管 | N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P | 在线订购 |
应用案例
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