STMicroelectronics 的 STL12N10F7 N 沟道 100 V、11.3mΩ 典型电阻、12 A 功率 MOSFET 采用PowerFLAT™3.3 x 3.3 封装和 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构且可实现极低导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。