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CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
Wolfspeed 针对 LTE 通信功率放大器应用的 CGH27015 GaN HEMT（CGH27015 Gallium-Nitride (GaN) High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT)）
发布时间：2018-09-13
Wolfspeed 的 CGH27015 是专为高效率、高增益和宽带宽功能而设计的 GaN HEMT，因而是 VHF 通信、3G、4G、LTE 和 2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA 放大器应用的理想选择。无与伦比的晶体管采用旋入式法兰封装。
CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)特性
VHF：3.0 GHz 操作
30 W 峰值功率能力
15 dB 小信号增益
4.0 W PAVE，EVM < 2.0% 时
平均功率为 4 W 时，漏极效率为 28%
WiMAX 固定接入 802.16-2004 OFDM
WiMAX 移动接入 802.16e OFDMA
CGH27015 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)应用
放大器应用：
VHF 通信
3G
4G
LTE
2.3 GHz 至 2.9 GHz BWA
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CGH27015F | MOSFETs-晶体管 | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | ￥1240.24198 | 在线订购 |
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