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    MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管

    MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管

    NXP 提供采用 TO-247 和 TO-220 行业标准封装的合格射频 LDMOS(MRF300AN/MRF300BN RF Transistors)

    发布时间:2018-09-13

    MRF300AN 和 MRF300BN 射频晶体管来自 NXP Semiconductors,设计用在高 VSWR 的工业、科研和医疗应用中。此外,这些器件还可用于 HF 和 VHF 通信以及无线电和 VHF 电视广播。MRF300AN 和 MRF300BN 输入和输出设计允许在 1.8 MHz 至 250 MHz 的宽频率范围内使用,并由紧凑型参考电路提供支持。

    MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管特性

    • 具有无与伦比的输入和输出,允许利用宽频率范围

    • 两种相反的引脚连接版本(A 和 B)可用于针对宽带性能的推挽式双向配置

    • 特征电压范围为 30 V 至 50 V

    • 适合线性应用

    • 集成 ESD 保护功能,具有较大的负栅源电压范围,用于改进 C 类运行性能

    • 作为 NXP 产品长期供应计划的一部分,在产品发布后至少保证供货 15 年

    • 符合 RoHS 规范

    MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管应用

    1. 工业、科学和医疗 (ISM) 细分市场

    2. HF/VHF 通信

    3. 广播

    4. 开关模式电源

    Evaluation Boards
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    MRF300AN and MRF300BN RF Transistors
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    应用案例

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