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MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管
NXP 提供采用 TO-247 和 TO-220 行业标准封装的合格射频 LDMOS（MRF300AN/MRF300BN RF Transistors）
发布时间：2018-09-13
MRF300AN 和 MRF300BN 射频晶体管来自 NXP Semiconductors，设计用在高 VSWR 的工业、科研和医疗应用中。此外，这些器件还可用于 HF 和 VHF 通信以及无线电和 VHF 电视广播。MRF300AN 和 MRF300BN 输入和输出设计允许在 1.8 MHz 至 250 MHz 的宽频率范围内使用，并由紧凑型参考电路提供支持。
MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管特性
具有无与伦比的输入和输出，允许利用宽频率范围
两种相反的引脚连接版本（A 和 B）可用于针对宽带性能的推挽式双向配置
特征电压范围为 30 V 至 50 V
适合线性应用
集成 ESD 保护功能，具有较大的负栅源电压范围，用于改进 C 类运行性能
作为 NXP 产品长期供应计划的一部分，在产品发布后至少保证供货 15 年
符合 RoHS 规范
MRF300AN/MRF300BN 射频晶体管应用
工业、科学和医疗 (ISM) 细分市场
HF/VHF 通信
广播
开关模式电源
工商网监