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TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET
Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET （TP65H035WS Cascode Gallium Nitride (GaN) FET）采用 TO-247 封装，具有出色的可靠性和性能
发布时间：2018-09-13
Transphorm 的 TP65H035WS 650 V、35 mΩ GaN FET 是一款常闭器件。该器件结合了先进的高电压 GaN HEMT 和低电压硅 MOSFET 技术，具有出色的可靠性和性能。
Transphorm 的 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提升了硅器件的效率。
TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
动态 RDS(ON)eff 生产检验
较低 QRR
降低了交越损耗
符合 RoHS 规范且无卤素的封装
通过以下方式实现了稳健的设计：
本征使用寿命测试
宽栅极安全裕量
瞬态过压能力
TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET应用
数据通信
广泛的工业
光伏逆变器
伺服电机
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TP65H035WS | MOSFETs-晶体管 | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 在线订购 |
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