Toshiba 60 V SSM3K341 和 100 V SSM3K361 是工业功率 MOSFET，具有低导通电阻，适合用于电视和工业照明中的负载开关。它们也是需要低到中等功率的工业自动化系统的理想选择。

对节能 LED 需求的不断增加，导致 N 沟道 MOSFET 越来越多地用作 LED 驱动器的开关。据 Toshiba 于 2016 年进行的公司内部研究报告，Toshiba 的 SSM3K341R 和 SSM3K361R 具有业界最佳的 SOT-23F 封装典型 RDS(ON) 额定值 (@VGS = 4.5 V)，分别为 36mΩ 和 65mΩ。此外，两款器件均支持 +175°C 的最高通道温度，因此可用于各种具有挑战性的工业应用。它们还采用 UDFN6 封装，在体积更紧凑的同时仍通过底部的大型金属片提供出色的散热。

与先前的 Toshiba 产品相比，SOT-23F 封装减少了导通损耗产生的约 65% 的散热。与传统的 SOT-89 封装相比，这些 MOSFET 的小封装尺寸保持了相同的散热水平，同时将整体基底面减少了约 64%。TSOP6F 是类似 SSM6N815R 的高性能封装，包含两个100 V N 沟道 MOSFET。