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U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET
Toshiba 的 U-MOSVIII-H 系列 60 V 和 100 V 工业 MOSFET （U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs）具备 RDS(on) 和低开关损耗，适用于工业和照明应用
发布时间：2018-09-13
Toshiba 60 V SSM3K341 和 100 V SSM3K361 是工业功率 MOSFET，具有低导通电阻，适合用于电视和工业照明中的负载开关。它们也是需要低到中等功率的工业自动化系统的理想选择。
对节能 LED 需求的不断增加，导致 N 沟道 MOSFET 越来越多地用作 LED 驱动器的开关。据 Toshiba 于 2016 年进行的公司内部研究报告，Toshiba 的 SSM3K341R 和 SSM3K361R 具有业界最佳的 SOT-23F 封装典型 RDS(ON) 额定值 (@VGS = 4.5 V)，分别为 36mΩ 和 65mΩ。此外，两款器件均支持 +175°C 的最高通道温度，因此可用于各种具有挑战性的工业应用。它们还采用 UDFN6 封装，在体积更紧凑的同时仍通过底部的大型金属片提供出色的散热。
与先前的 Toshiba 产品相比，SOT-23F 封装减少了导通损耗产生的约 65% 的散热。与传统的 SOT-89 封装相比，这些 MOSFET 的小封装尺寸保持了相同的散热水平，同时将整体基底面减少了约 64%。TSOP6F 是类似 SSM6N815R 的高性能封装，包含两个100 V N 沟道 MOSFET。
U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET特性
小尺寸 N 沟道功率 MOSFET
行业标准 SOT-23F 封装
适用于 60 V/6 A 和 100 V/3.5 A 应用
耐高温，高达 +175 °C 通道温度
业内领先的导通电阻
SSM3K341R 和 SSM6K341NU 导通电阻是 36 mΩ（典型值）
SSM3K361R 和 SSM6K361NU 导通电阻是 65 mΩ（典型值）
U-MOSVIII-H 系列工业 MOSFET应用
高温工业和工业自动化
用于升压电路的同步/异步开关
电视屏幕白色 LED 背光
高电压负载/空载开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SSM3K341R,LF | MOSFETs-晶体管 | 硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F | ￥1.07141 | 在线订购 |
 | | SSM6K341NU,LF | MOSFETs-晶体管 | SSM6K341NU,LF | ￥1.42138 | 在线订购 |
 | | SSM3K341TU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V | ￥1.36283 | 在线订购 |
 | | SSM3K361R,LF | MOSFETs-晶体管 | ￥1.53918 | 在线订购 | |
 | | SSM6K361NU,LF | MOSFETs-晶体管 | ￥1.38632 | 在线订购 | |
 | | SSM3K361TU,LF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM | ￥6.05026 | 在线订购 |
 | | SSM6N815R,LF | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | SSM6J801R,LF | MOSFETs-晶体管 | 表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 6-TSOP-F | ￥0.81003 | 在线订购 |
 | | SSM3J356R,LF | MOSFETs-晶体管 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA | ￥0.72500 | 在线订购 |
 | | SSM3J351R,LF | MOSFETs-晶体管 | ￥1.06250 | 在线订购 |
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