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    MDmesh™ K5 功率 MOSFET

    MDmesh™ K5 功率 MOSFET

    STMicroelectronics 的 MDmesh K5 系列 MOSFET(MDmesh™ K5 Power MOSFET) 设计用于反激式转换器

    发布时间:2018-09-13

    这些 STx8N120K5 1,200 V、2Ω(最大值)、6 A MOSFET 器件完善了 STMicroelectronics 的极高压 MOSFET 产品组合,采用 ST 专有的 MDmesh K5 超结技术进行了全面开发,以提高功率密度和效率。

    得益于极低的 RDS(on)、同类最佳的栅极电荷(Qg)以及易于使用的高效设计,ST 的 MDmesh K5 MOSFET 非常适合计量、电信、电信、板载充电器和 3 相辅助电源应用中的反激式转换器。


    MDmesh™ K5 功率 MOSFET特性

    • 业内最小的 RDS(on) x 面积之一

    • 业内最佳的 FoM(品质因数)之一

    • 超低栅极电荷

    • 100% 雪崩测试

    • 齐纳保护

    MDmesh™ K5 Power MOSFET
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    STP8N120K5MOSFETs-晶体管N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220封装¥4.25600在线订购
    STW8N120K5MOSFETs-晶体管N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装¥66.81011在线订购

    应用案例

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    • 资讯意法半导体TSB18系列运算放大器的应用示例2025-12-03

      意法半导体TSB18系列运算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性优势。无论您正在设计工业控制系统、汽车电子、医疗设备还是仪器仪表,TSB181和TSB182高精度运算放大器都能满足严苛应用对高精度、低噪声和宽频带的要求。

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