这些 STx8N120K5 1,200 V、2Ω（最大值）、6 A MOSFET 器件完善了 STMicroelectronics 的极高压 MOSFET 产品组合，采用 ST 专有的 MDmesh K5 超结技术进行了全面开发，以提高功率密度和效率。

得益于极低的 RDS（on）、同类最佳的栅极电荷（Qg）以及易于使用的高效设计，ST 的 MDmesh K5 MOSFET 非常适合计量、电信、电信、板载充电器和 3 相辅助电源应用中的反激式转换器。