闩锁性能超过 100 mA，符合 JESD 78 II 类标准

经测试，ESD 性能符合 JESD 22 标准

   2000 V 人体模型（符合 A114-B II 类标准）

   1000 V 带电荷器件模型 (C101)

采用 Texas Instruments NanoStar™ 封装

低静态功耗（I CC = 0.9μA，最大值）

低动态功耗（Cpd = 1 pF，3.3 V 时的典型值）

低输入电容（Ci = 1.5 pF，典型值）

低噪声：过冲和欠冲 < VCC 的 10%

Ioff 支持在部分掉电模式下工作

输入滞后允许缓慢输入转换，并使输入端具有更好的抗开关噪声能力（3.3 V 时，Vhys= 250 mV，典型值）

宽工作 Vcc 范围：0.8 V 至 3.6 V

针对 3.3 V 工作电压进行了优化

支持混合模式信号操作的 3.6 V I/O 容限

3.3 V 时，tpd = 3.6 ns（最大值）

适合点对点应用