
XENSIV™ TLE5014 角度传感器

Infineon 的 TLE5014 角度传感器(XENSIV™ TLE5014 Angle Sensors)具有极高的功能安全等级,并采用了易用性设计理念
发布时间:2018-09-13
Infineon 的 XENSIV TLE5014 角度传感器可提供单模和双模产品。TLE5014 角度传感器易于使用,经过了预先配置和预校准,可用作即插即用传感器。客户可以为该产品选择 SENT、PWM 和 SPC 接口。TLE5014 传感器通过其可编程 EEPROM 接口来适应任何应用设置。
TLE5014 角度传感器具有极高的功能安全等级,并采用了易用性理念。
TLE5014 磁角度传感器符合 ISO 26262 ASIL C 标准(单芯片)和 ISO 26262 ASIL D 标准(双芯片版本)。所有产品均可用于安全功能要求极高的应用。此类传感器在整个温度曲线和寿命期间内实现了小于 1° 的极小角度误差。
框图

XENSIV™ TLE5014 角度传感器特性
特性
基于巨磁电阻 (GMR) 的原理
用于角度测量的集成磁场感应功能
360° 全角度测量
高电压和反极性能力
EEPROM 用于存储配置(例如零角度)和客户特定 ID
输出上的绝对角度值的 12 位表示
在其使用期限和温度范围内最大角度误差为 1°
根据 ISO26262 开发,工艺符合 ASIL-D 标准
SPFM > 97% 的内部安全机构
接口:PWM、SPC 和 SENT(基于 SAE J2716-2010)
用于校正系统角度误差的 32 点查询表(例如磁路)
112 位客户 ID(可编程)
ESD:VDD 和输出引脚上均为 4kV (HBM)
双芯片版本:一个封装中有两个相同的芯片(提供通道 1 和通道 2 输出)
双芯片版本:全冗余型双通道解决方案,可满足极高的功能安全要求
优势
易于使用、即插即用的理念最大限度地减少了开发时间和精力
最高角度精度
可达 26 V 的高压能力
由于高度灵活性,产品易于适应客户的应用:单芯片和双芯片产品、不同的接口选择、可编程 EEPROM 和查询表
XENSIV™ TLE5014 角度传感器应用
转向角传感 (SAS)
电机换向
转子位置测量
电动助力转向系统 (EPS)
踏板位置
安全应用
任何其他类型的高精度位置测量
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | TLE5014C16DXUMA1 | 位置传感器-传感器 | ¥17.30300 | 在线订购 | |
![]() | | TLE5014P16DXUMA1 | 位置传感器-传感器 | 磁阻 传感器 角度,线性,旋转 外磁铁,不含 鸥翼 | ¥44.59406 | 在线订购 |
![]() | | TLE5014S16DXUMA1 | 位置传感器-传感器 | TLE5014S16DXUMA1 | ¥73.22542 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | TLE5014C16XUMA1 | 位置传感器-传感器 | 磁阻 传感器 角度,线性,旋转 外磁铁,不含 鸥翼 | ¥9.39400 | 在线订购 |
![]() | | TLE5014P16XUMA1 | 位置传感器-传感器 | ¥9.39400 | 在线订购 | |
![]() | | TLE5014S16XUMA1 | 位置传感器-传感器 | 磁阻 传感器 角度,线性,旋转 外磁铁,不含 鸥翼 | ¥28.98611 | 在线订购 |
应用案例
资讯声智科技携手英飞凌探讨新一代声学感知技术方案2025-12-04
近日,声智科技与全球半导体巨头英飞凌Power&Sensor System团队在德国总部举行了战略会议。双方围绕新一代声学感知技术方案和面向全球市场的新产品研发进行了深入探讨。会议聚焦于声学AI在未来高价值场景的应用,比如自动驾驶中的声学探测与环境感知,AI原生硬件的感知交互。声智通过将领先的声学AI算法模型与高精度麦克风阵列相结合,极大拓宽了声学传感器在复杂环境下的应用边界。
资讯美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉2025-12-04
美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国 该裁决是又一项积极结果,彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用 德国慕尼黑2025年12月3日 /美通社/ -- 美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利1。此外,在初步裁定中,美国国际贸易委员会确认,英飞凌在
资讯深入解析IPM器件数据手册中的电流定义:Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)2025-12-03
在设计和应用IPM器件时,电流参数是影响性能的关键指标之一。然而,不同电流参数的含义可能会对应用设计产生重要影响。本文将详细解析IPM数据手册中常见的几种电流定义,包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具体意义、测试条件及其设计建议。为了更清晰地展示各电流参数的定义及其在实际应用中的差异,下面提供了一张直观的图示供参考:1IC:额定连续集电极电
资讯英飞凌氮化镓技术赋能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆变器2025-12-03
【2025年11月21日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)近日宣布将为Enphase Energy, Inc.(ENPH)新一代光伏微型逆变器提供其突破性的氮化镓(GaN)技术。Enphase Energy是一家全球领先的能源技术公司,同时也是光伏及电池系统微型逆变器领域全球领先的供应商。英飞凌的CoolGaN™双向开关(BDS)技术可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆变器的输出功率、能源效率及系统可靠性,有助于简化新一代IQ9N-3P™商用微型逆变器的设计复杂性,
资讯英飞凌成立全新超宽带(UWB)应用实验室2025-12-03
【2025年11月19日, 德国慕尼黑与奥地利格拉茨讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日在奥地利格拉茨成立了一个超宽带(UWB)应用实验室。该实验室由英飞凌与Silicon Austria Labs(简称SAL)联合创建,旨在推动超宽带(UWB)技术的发展、探索创新的应用场景,以及为汽车、工业、物联网(IoT)和消费市场提供实际的应用解决方案。作为一项先进的无线通信技术,超宽带(UWB)不仅能实现精准
资讯国内首个混合SiC产品量产落地!小鹏汽车碳化硅研发、使用进入快车道2025-12-02
近日,在第三届英飞凌汽车创新峰会上,小鹏汽车副总裁顾捷带来了《智能化重构下的功率半导体应用新时代》的演讲。他重点介绍了小鹏汽车的发展历程、研发投入和功率半导体领域的创新实践。
资讯VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01
在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
资讯英飞凌与阳光同行,助力第十一届高校电力电子应用设计大赛完美收官2025-12-01
2025年11月5-7日,作为中国大学电力电子应用设计大赛的一部分,第十一届“英飞凌杯”先进功率转换技术大赛决赛和“阳光杯”新能源和储能大赛决赛在广东深圳市举行。这项久负盛名的比赛由英飞凌冠名赞助,自2015年以来由中国电源学会主办,是中国电力电子行业最高级别的学生比赛。观看了解活动精彩片段其中,“阳光杯”比赛的核心是使用英飞凌最新的WBG器件设计用于储能的







上传BOM



