晶体管 ST STH110N10F7-2

制造商型号：STH110N10F7-2	制造商：ST
封装/规格：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB	供应商编号：STH110N10F7-2
商品编号：DS0080335
商品描述： N通道 100V ±20V 110A（Tc）150W（Tc）

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成交记录

产品分类	场效应管（MOS管）三极管及MOS管
FET配置（电路类型）	N沟道
漏源击穿电压V(BR)dss	100V
漏极电流（Id, 连续）	110A（Tc）
导通电阻 Rds（on）	6.5毫欧
阈值电压Vgs(th)	4.5V@250µA
最大耗散功率	150W
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
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数据手册	STH110N10F7-2数据手册

用户名称购买型号购买数量购买价格下单时间
***STH110N10F7-252020-05-13 09:04
林***STH110N10F7-252019-11-28 10:04
云***STH110N10F7-252019-11-27 16:34

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STH110N10F7-2由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikey、mouser、verical、等渠道进行代购。STH110N10F7-2价格参考￥21.18180。STSTH110N10F7-2封装/规格：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB,N通道 100V ±20V 110A（Tc）150W（Tc）。你可以下载STH110N10F7-2中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有场效应管（MOS管）详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版：STH110N10F7-2