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三极管及MOS管场效应管(MOS管)STH110N10F7-2
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 ST STH110N10F7-2

制造商型号:STH110N10F7-2
制造商:ST
封装/规格:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB 供应商编号:STH110N10F7-2
商品编号:DS0080335
商品描述:
N通道 100V ±20V 110A(Tc)150W(Tc)

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产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管

FET配置(电路类型)

N沟道

漏源击穿电压V(BR)dss

100V

漏极电流(Id, 连续)

110A(Tc)

导通电阻 Rds(on)

6.5毫欧

阈值电压Vgs(th)

4.5V@250µA

最大耗散功率

150W

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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数据手册STH110N10F7-2数据手册
  • 用户名称购买型号购买数量购买价格下单时间
  • ***STH110N10F7-252020-05-13 09:04
  • 林***STH110N10F7-252019-11-28 10:04
  • 云***STH110N10F7-252019-11-27 16:34
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STH110N10F7-2ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikey、mouser、verical、 等渠道进行代购。STH110N10F7-2价格参考¥21.18180。STSTH110N10F7-2封装/规格:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB,N通道 100V ±20V 110A(Tc)150W(Tc)。你可以下载STH110N10F7-2中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有场效应管(MOS管)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版:STH110N10F7-2