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MOSFETs Infineon IPD35N10S3L26ATMA1
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： IPD35N10S3L26ATMA1
- 商品编号： G0322782
- 封装规格： TO-252(DPAK)
- 商品描述： 最佳的®-功率晶体管
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
零件状态 | Active | |
系列 | OptiMOS™ | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
阈值电压 | 1.7V | |
连续漏极电流 | 35A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 2.7nF@25V | |
原始制造商 | Infineon Technologies | |
原产国家 | Germany | |
印字代码 | 3N10L26 | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 6.57 x 6.10mm | |
高度 | 2.29mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 100V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 50pF | |
充电电量 | 30nC | |
功率耗散 | 71W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 24毫欧@35A，10V | |
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商品介绍
最佳的®-功率晶体管
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IPD35N10S3L26ATMA1 由 Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopfuture 等渠道进行代购。 IPD35N10S3L26ATMA1 价格参考￥ 5.6017 。 Infineon IPD35N10S3L26ATMA1 封装/规格： TO-252(DPAK), 最佳的®-功率晶体管。你可以下载 IPD35N10S3L26ATMA1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPD35N10S3L26ATMA1
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