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    FDS6910

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     30V双N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
    • 7.5A, 30V
    • R
    • = 13 mΩ @ V
    • = 10V
    • R
    • = 17 mΩ @ V
    • = 4.5V
    • 快速开关速度
    • 低栅极电荷
    • 高性能沟道技术可实现极低的R
    • 高功率和高电流处理能力

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    型号制造商描述购买
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    技术资料

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    SOIC8PDF80 点击下载
    Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETPDF172 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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