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    AT21CS11 串行 EEPROM

    AT21CS11 串行 EEPROM

    Microchip 的单线总线串行 EEPROM (AT21CS11 Serial EEPROMS)经过优化,适用于消费类和工业应用

    发布时间:2018-06-13

    来自  Microchip Technology 的 AT21CS11 是一款串行 EEPROM 器件,仅采用单线总线接口。每个 AT21CS11 包含预编程的唯一序列号和五个 EEPROM 存储单元。不同的存储器部分可由终端设备制造商永久锁定,允许跟踪产品和识别附件,帮助防止伪造。EEPROM 器件非常适合那些需要提供产品保修、防止伪造和通过授权替代产品确保持续正常工作的客户。
    该器件通过用作通信和器件电源的单线输入/输出 (SI/O) 连接到系统。由于仅需要一根线和接地,光纤到家庭 (FTTH) 电缆端子的制造商可将关键的电缆特征参数添加到不同的电缆类型。SI/O 线还让无法使用较大的三线、五线或八线解决方案的一次性设备能使用简单的两点机械咬接或扭接式连接器。通过将 EEPROM 固定于可拆卸式电缆或盒中,制造商可以创建能轻松地识别或身份验证的附件。该器件具有 1 Kb 的 EEPROM 存储器(四个扇区,每个 256 位)、64 位序列号和 128 位额外的用户可编程跟踪存储器。额外的存储器允许设计人员在远离主要电子设备的位置添加独特的标识和工作参数,如功耗和应用信息。这款新型器件将工作电压扩展至 4.5 V,使其非常适用于锂离子电池供电型设备,如一次性医疗设备和电子烟。

    AT21CS11 串行 EEPROM特性

    • 128 x 8 (1 Kbit)

    • 单线兼容

         I2C 协议结构

         通过单 I/O 引脚通信

    • 高速 (125 kbps) 模式

    • 低功耗

         读电流 0.08 mA(典型值),0.3 mA(最大值)

         写电流 0.2 mA(典型值),0.5 mA(最大值)

         待机电流:0.7 µA(典型值),2.5 µA(最大值)

    • 自定时的擦写循环(最大 5 ms)

    • 软件写保护

         四个独立的 256 位区域

    • 超过 100 万次擦写循环

    • 数据保持时间 > 100 年

    • ESD 保护 > 8000 V (HBM)

    • 提供出厂编程

    • 采用 8 引脚 SOIC (150 mil)、3 引脚 SOT23、2 焊盘 XSFN 和 4 焊球薄 CSP 封装

    ICs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    AT21CS11-SSH10-TMRAM磁性随机存储器-存储器IC EEPROM 1KBIT I2C 125KHZ 8SOIC¥2.31284在线订购
    AT21CS11-SSH10-BMRAM磁性随机存储器-存储器IC EEPROM 1KBIT I2C 125KHZ 8SOIC在线订购
    AT21CS11-MSH10-TMRAM磁性随机存储器-存储器IC EEPROM 1KBIT I2C 125KHZ 2XSFN¥2.52490在线订购
    AT21CS11-STU10-TMRAM磁性随机存储器-存储器IC EEPROM 1KBIT I2C SOT23-3¥2.87280在线订购

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