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    LPS1100厚膜电阻器

    LPS1100厚膜电阻器

    Vishay的非电感器件(LPS1100 Thick Film Resistors)具有高达12 kVRMS的高介电强度和高达2200 W的过载能力,持续10秒

    发布时间:2018-06-14

    Vishay的 LPS1100是一款采用紧凑型57 mm x 60 mm封装的功率厚膜电阻器。该器件在+ 25°C的散热片温度下具有1100 W的额定功率,并具有广泛的电阻值的高温降额性能。

    该厚膜电阻器是无感的(<0.1μH),电阻范围为1Ω至1.3kΩ。该器件设计易于安装到散热器上,占地面积小,25 mm外形,重量轻,重量仅为79克,可节省宝贵的空间,帮助设计人员减小最终产品的尺寸。


    LPS1100厚膜电阻器特性

    • LPS高功率:1100 W

    • 宽电阻范围:1Ω至1.3kΩE24系列

    • 无感

    • 安装方便

    • 壳体热辐射低

    • 符合RoHS指令2011/65 / EU

    LPS1100 Thick Film Resistors
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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    应用案例

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      全球知名的电子元器件授权代理商富昌电子(Future Electronics)为测试设备应用推介来自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物钽电容,旨在满足测试设备应用对高性能元件的需求。

    • 资讯Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块,延长链路距离,提高抗ESD可靠性2024-03-15

      器件符合 IrDA® 标准,采用内部开发的新型 IC 和表面发射器芯片技术,可以即插即用的方式替换现有解决方案   美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024 年 3 月 13 日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出适于IrDA®应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外(IR)收发器模块,链路距离延长20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率(SIR),链路距离为1米,适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗

    • 资讯Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块2024-03-15

      Vishay近日发布了升级版的TFBS4xx和TFDU4xx系列红外(IR)收发器模块,专为IrDA®应用而设计。此次升级显著提升了模块的性能,使得链路距离延长了20%,并且其抗静电放电(ESD)能力提升至2 kV,从而在复杂环境中提供了更高的可靠性和稳定性。

    • 资讯Vishay宣布推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外(IR)收发器模块2024-03-14

      日前,Vishay 宣布,推出适于 IrDA 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外(IR)收发器模块,链路距离延长 20 %,抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持 115.2 kbit/s 数据速率(SIR),链路距离为 1 米,适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。

    • 资讯Vishay推出30V N沟道TrenchFET第五代功率MOSFET2024-03-12

      全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率MOSFET旨在进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用中的功率密度,并显著增强热性能,从而为用户带来更为出色的性能体验。

    • 资讯Vishay助力同济电车队斩获佳绩,创新技术提升赛车性能2024-03-12

      在充满激情与挑战的2023年大学生方程式系列赛事中,同济大学电车队凭借出色的表现再次赢得了广泛的赞誉。车队不仅在竞争激烈的中国赛区(FSEC)中脱颖而出,更在日本赛区(FSAEJ)的比赛中取得了令人瞩目的成绩,特别是在Design Final Event中荣获第三名,彰显了同济电车队在赛车设计领域的卓越实力。

    • 资讯Vishay推出新系列浪涌限流PTC热敏电阻2024-03-12

      在电子元件领域不断创新的Vishay公司,近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数(PTC)热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力,为汽车和工业应用中的有源充放电电路带来了显著的性能提升。

    • 资讯Vishay推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET2024-03-12

      近日,全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET,型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET集成在紧凑的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3 x 3FS单体封装中,为工业和通信应用的功率转换带来了显著的性能提升。

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