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STripFET VI DeepGATE 系列功率 MOSFET
STMicroelectronics 的第 6 代 STripFET DeepGATE 系列功率 MOSFET（STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 利用称作 DeepGATE™ 的工艺扩展了其 40 V 至 80 V MOSFET。 这种工艺可让设计人员获得平面工艺结合类沟槽式结构的优势。 最终实现更高能效和更高密度的设计。 某些 MOSFET 采用以前推出的称为 H2PAK 的高电流封装。 40 V 至 80 V MOSFET 产品组合将不断发展和继续扩大。
STripFET VI DeepGATE 系列功率 MOSFET特性
更低 RDS(on)
更低 Q g（栅极电荷）
雪崩级
STripFET VI DeepGATE 系列功率 MOSFET应用
电机控制
DC/DC 转换器
电池供电型电动工具
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STD44N4LF6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 44A DPAK | ￥3.99280 | 在线订购 |
 | | STI260N6F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 在线订购 | |
 | | STB120N4LF6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | ￥11.51319 | 在线订购 |
| | STD120N4F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | ￥7.75440 | 在线订购 |
 | | STH260N6F6-2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK | ￥20.97247 | 在线订购 |
 | | STP210N75F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | 在线订购 | |
 | | STP120N4F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | 在线订购 | |
;;2_tmb.jpg) | | STD120N4LF6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | ￥7.74267 | 在线订购 |
 | | STP260N6F6 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | 在线订购 |
应用案例
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STM32的芯片架构以STM32F103ZET6为例简略图：官方详细图：可见，STM32内部通过AHB APB1 APB2 总线挂载了各种各样的外设，每条总线控制着芯片上各种各样的功能区块，单片机识别这些总线的方式是通过地址，每个总线有其对应的地址，叫做总线的基地址，总线上各种寄存器的地址是在总线基地址的基础上加上地址偏移得到的，这些总线的基地址与各种寄存器的地址偏移都可以在《STM32...
资讯3、初识stm32——GPIO2022-01-04
寄存器点亮LED灯1、新建工程文件，选择STM32F1032、
资讯STM入门基础初识2022-01-04
#序言本文章是关于stm的一些简单的介绍，全部都是个人学习的一些经验总结，分享给想要自学stm32的朋友们用于入门。其中部分内容借鉴于《stm32中文参考手册》和《cortex-m3权威指南》，对于大神请不喜勿喷。#stm32是什么呢？简单来说，stm32是一种32位的单片机，是采用了ARM公司的 Cortex-M内核的单片机。STM32系列基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门...
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一般3.3V高电平，0V低电平一般使用8M的外部高速晶振时钟，在内部PLL可以倍频到72Mhz简化图：
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