IXYS Corporation 已发布了 650 V XPT 沟槽式 IGBT 产品线。 110°C 高温条件下，该产品系列中器件的额定电流范围为 30 A 至 200 A。 这些极弱穿通 (XPT™) 器件的导通电压低至 1.7 V，设计用于最大程度减少导通和开关损耗，尤其是在硬开关应用场合。 这些 IGBT 优化用于不同开关速度范围（高达 60 kHz），为设计人员提供了灵活的器件选择，包括成本、饱和电压和开关频率。
这些器件使用 IXYS XPT 薄晶圆技术和先进的四代 (GenX4™) 沟槽式 IGBT 工艺开发，热阻低、能耗少、开关速度快、尾电流低，并且电流密度高。 此外，在短路条件下它们表现出卓越的坚固性 – 10µs 短路安全工作区域 (SCSOA)。 此外，这些 IGBT 具有方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA)，击穿电压高达 650 V，使其极其适合无吸收电路的硬开关应用。 其它品质包括正集射电压温度系数，使设计师能够并联使用多个器件，以满足高电流和低栅极电荷数要求，从而有助于减少栅极驱动要求和开关损耗。