SPI 串行 SRAM 和 NVSRAM 器件
Microchip 的 SRAM 和 NVSRAM 系列(SPI Serial SRAM and NVSRAM Devices)提供了一种轻松添加外部 RAM 的方式
发布时间:2018-06-14
Microchip 的串行 SRAM 系列提供了一种几乎能在任何应用上添加外置 RAM 的方法,这种方法成本低廉、操作简单。 相比传统并行 SRAM,这些 8 引脚串行器件的功耗更低,所用 I/O 连接数量更少。 此外,利用这些器件,设计人员可以使用更小的微控制器,而无需仅仅为了获得更大的板载 RAM 而改用更大的器件。 零写入周期时间使这些器件非常适合于将图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频和其它数据密集型功能卸载至独立 SRAM。 与标准 SPI 相比,SDI 和 SQI 允许使用 2 倍和 4 倍数据速率。 Microchip 的 SPI 兼容型串行 SRAM 器件有 64、256、512 和 1024 Kb 四种容量供用户选择。 这些器件以低功耗实现高速性能,非常适合需要更大 RAM 的嵌入式应用。
此外,这些 512 Kb 和 1 Mb 器件还具有 Vbat 引脚用于电池备份,因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时,使器件具有非易失性。 这些串行 NVSRAM 器件具备无限使用寿命和瞬时写功能,对于诸如量表、黑盒和数据记录器之类应用特别有用。
SPI 串行 SRAM 和 NVSRAM 器件特性
低功耗 CMOS 技术:4 μA 最大待机电流
标准 4 引脚 SPI 接口:芯片选择、数据输入、数据输出和时钟
无限写入存储器、零写入时间
提供备用电池(512 Kb、1 Mb)
32 字节页面
高速 SDI (2 x) 和 SQI (4 x) 模式支持,高达 80 Mb/s
工业温度范围:-40°C 至 +85°C
小型 8 引线 SOIC、TSSOP 和 PDIP 封装
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
| 23K256-I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | ¥8.78256 | 在线订购 | |
| 23K640-I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | 在线订购 | ||
| 23K640-I/ST | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | ¥5.50066 | 在线订购 | |
| 23LC512-I/P | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8DIP | ¥16.87400 | 在线订购 | |
| 23K256-I/ST | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | ¥16.87600 | 在线订购 | |
| 23K256-I/P | 其他存储器-存储器 | IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8DIP | ¥9.49493 | 在线订购 | |
| 23A512-I/ST | 未分类-待分类商品 | IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8TSSOP | ¥16.67600 | 在线订购 | |
| 23A256-I/ST | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | 在线订购 | ||
| 23A512-I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8SOIC | 在线订购 | ||
| 23A256-I/SN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC | ¥12.88000 | 在线订购 |
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