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    FGP10N60UNDF和FGP15N60UNDF IGBT

    FGP10N60UNDF和FGP15N60UNDF IGBT

    安森美半导体的FGP10N60UNDF和FGP15N60UNDF IGBT(FGP10N60UNDF and FGP15N60UNDF IGBTs)最大限度地降低了功耗,可提供5 A至15 A的电流额定值

    发布时间:2018-06-14

    安森美半导体扩展其短路额定IGBT产品,为电机驱动设计人员提供更高效率,更高功率密度和更高可靠性的三相电机驱动应用,其中低损耗和短路耐用性是必不可少的。这些600 V IGBT的额定电流范围为5 A至15 A,可降低功耗并降低功耗,同时具有较低的V CE(sat)额定值,同时符合严格的节能指南。这些器件提供10μs的短路耐受时间(V CE = 350 V,V GE = 15 V,R G =100Ω,T J = 150°C)和快速开关速度,以提高系统效率。


    FGP10N60UNDF和FGP15N60UNDF IGBT特性

    • 短路额定值为10μs

    • 高电流能力

    • 高输入阻抗

    • 快速切换

    • 符合RoHS标准

    FGP10N60UNDF和FGP15N60UNDF IGBT应用

    1. 空调

    2. 洗衣机

    3. 冰箱

    4. 洗碗机

    5. 缝纫机

    FGP10N60UNDF and FGP15N60UNDF
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    FGP10N60UNDFMOSFETs-晶体管IGBT 600V 20A 139W TO220-3在线订购
    FGP15N60UNDFMOSFETs-晶体管IGBT NPT 600V 30A 178W Through Hole TO-220-3在线订购

    应用案例

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