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MBR60040CT硅功率600 A肖特基二极管
介绍GeneSiC半导体硅功率600 A肖特基二极管（MBR60040CT Silicon Power 600 A Schottky Diode）
发布时间：2018-06-14
GeneSiC Semiconductor的 MBR60040CT，600 A硅功率肖特基二极管采用双封装。它具有高浪涌能力和高达100 VV RRM的类型。
MBR60040CT硅功率600 A肖特基二极管特性
高浪涌能力
类型高达100 VV RRM
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MBR60040CT | 整流二极管-二极管 | DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER | 在线订购 |
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